公开(公告)号：CN111418058A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201780097239.7

申请日：2017-12-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河面英夫 ,  白泽敬昭 ,  荒木慎太郎 ,  木本信义 ,  王丸武志

IPC: H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制尺寸公差的影响的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：多个冷却板(1)，它们各自在内部具有冷媒通路(11)；间隔件(5)，其使各冷却板(1)分离地层叠；半导体封装件(2)，其设置于至少1个冷却板(1)的至少1个主面之上；以及弹簧板(4)，其设置于相邻的冷却板(1)之间，将半导体封装件(2)向冷却板(1)侧预紧。

公开(公告)号：CN110476235A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201780088769.5

申请日：2017-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木本信义 ,  爱甲光德 ,  白泽敬昭

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

Abstract: 目的在于提供能够抑制工时的增加，且缓和在半导体元件的电极处的引线框的接合部的周缘部产生的应力的技术。半导体装置(30)具备：半导体元件(3)，其搭载于散热器(1)之上；引线框(6)，其经由作为接合材料的焊料(2b)而与半导体元件(3)的发射极电极(3a)接合；金属膜(4)，其形成于发射极电极(3a)的表面；以及防氧化膜(5)，其形成于金属膜(4)的表面。金属膜(4)的周缘部在整周均从防氧化膜(5)露出。

公开(公告)号：CN115335987A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202080098494.5

申请日：2020-03-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  木本信义

IPC: H01L23/28

Abstract: 目的在于提供能够对在模塑树脂产生裂缝进行抑制，并且对湿气从外部侵入进行抑制的技术。半导体装置(100)具有：散热器(1)；半导体元件(6)，其设置于散热器(1)的上表面；绝缘片材(2)，其设置于散热器(1)的下表面；引线框(8、9)，它们经由焊料(10)接合于半导体元件(6)的上表面；以及模塑树脂(12)，其对引线框(8、9)的一端侧、半导体元件(6)、散热器(1)、及绝缘片材(2)进行封装。从模塑树脂(12)的上表面直至引线框(8)的与半导体元件(6)的接合面为止形成孔部(14)，在孔部(14)填充有杨氏模量比模塑树脂(12)低的低杨氏模量树脂(13)。

公开(公告)号：CN114902400A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080091658.1

申请日：2020-01-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木本信义

IPC: H01L23/29

Abstract: 目的在于提供能够在半导体装置的组装等时抑制针式鳍片的由接触引起的变形的技术。半导体装置(100)具有基座板(1)、半导体元件(6)和树脂部件。基座板(1)在下表面具有多个针式鳍片(2)。半导体元件(6)搭载于基座板(1)的上侧。树脂部件至少将半导体元件(6)的侧面覆盖。另外，树脂部件具有将基座板(1)的侧面覆盖的肋部(9)，肋部(9)的下端位于比多个针式鳍片(2)的下端更靠下方处。

公开(公告)号：CN104517913B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201410409776.9

申请日：2014-08-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  新饲雅芳 ,  鹿野武敏 ,  村田大辅 ,  木本信义 ,  井本裕儿 ,  石原三纪夫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底(1)；多个电路图案(1a)，其配置在陶瓷衬底(1)表面；半导体元件(2)，其配置在至少1个电路图案(1a)的表面；以及封装树脂(4)，其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2)，在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa)，在欠切部(1aa)中，电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比，向该电路图案(1a)的外侧突出，在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。

公开(公告)号：CN104517913A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410409776.9

申请日：2014-08-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  新饲雅芳 ,  鹿野武敏 ,  村田大辅 ,  木本信义 ,  井本裕儿 ,  石原三纪夫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/06 ,  H05K3/20 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/2072 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/1184 ,  H05K2203/1316 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底(1)；多个电路图案(1a)，其配置在陶瓷衬底(1)表面；半导体元件(2)，其配置在至少1个电路图案(1a)的表面；以及封装树脂(4)，其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2)，在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa)，在欠切部(1aa)中，电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比，向该电路图案(1a)的外侧突出，在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。

公开(公告)号：CN1203542C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01123243.9

申请日：2001-07-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西堀弘 ,  深田雅一 ,  吉田贵信 ,  吉松直树 ,  高尾治雄 ,  木本信义 ,  上贝康己

IPC: H01L23/15

CPC classification number: H05K3/0061 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/049 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/2036 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20754

Abstract: 在Cu合金形成的金属基板1上，装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3，而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上，通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5～5.5mm和0.5～1mm，将电路图形4的厚度设定为0.4～0.6mm，将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100～300μm。