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公开(公告)号：CN102089884A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980126260.0
申请日：2009-05-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/1884 , Y02E10/548
Abstract: 本发明能够得到一种薄膜太阳能电池，通过在透明绝缘基板(1)上形成在基板面内相互分离的多个第一透明导电膜(2)，在第一透明导电膜(2)上形成第二透明导电膜，将第二透明导电膜蚀刻为粒状来形成分散在第一透明导电膜(2)上的第一粒状体(4b)，在第一透明导电膜(2)上以及分散的第一粒状体(4b)上形成发电层(5)，在发电层(5)上形成背面电极层(6)，从而实现具有表面粗糙度小的微细表面凹凸并且面内的电阻大致均匀的透明电极。
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公开(公告)号：CN100357997C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410047670.5
申请日：2004-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G09G3/30
Abstract: 提供一种具有电流驱动型发光元件的显示装置。根据生成对应于低位数据的第一输出电流(Io1)的模拟电流源电路(100)、和依据对应的数据位进行或停止对应于高位数据位的第二及第三输出电流(Io2及Io3)的生成的两个模拟电流源电路(70)的输出电流之和，供给与4位的显示信号对应的全部灰度范围的显示电流。模拟电流源电路(100)具有利用第一输出电流(Io1)的控制范围内的一点，补偿由晶体管特性离散引起的输出电流离散的校正功能。由此，在备有电流驱动型发光元件的显示装置中，不使制造工艺增加太多，通过抑制电路面积，能高精度地生成灰度显示用的显示电流。
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公开(公告)号：CN1332426C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200480001244.6
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域的工序。
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公开(公告)号：CN1706029A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001244.6
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板(9)的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光(22)在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状(33)，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域(36)中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域(36)相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域(39)的工序。
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公开(公告)号：CN1705969A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001238.0
申请日：2004-05-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/20 , G09G3/325 , G09G2310/0248 , G09G2310/027
Abstract: 本发明的把与由数据位(D0～D5)构成的数字信号相应的电流提供给数据线(DL)的电流供给电路(100)包含：电流控制电路(110)、预充电开关(140)、预充电调整电路(150)。电流控制电路(110)与分别反映数据位(D0～D5)的控制信号(Vcnt0～Vcnt5)响应地，控制流过数据线(DL)的电流量。预充电开关(140)在电流供给前以规定电压(Vbf)预充电数据线(DL)。预充电调整电路(150)为了使数据线DL的电压接近与数据位(D0～D5)对应的恒定电压，而在与数据线DL之间进行与控制信号(Vcnt0～Vcnt5)相应的电荷的交换。由此，可以高速地提供与数字数据相应的模拟电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1304548A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(LO)的线状光束(300),对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300),对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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公开(公告)号：CN114846743A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080085815.8
申请日：2020-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种太阳能电池串的故障诊断装置(20)，该太阳能电池串具有多个太阳能电池模块，该多个太阳能电池模块具有太阳能发电部和导电性的框架，多个太阳能电池模块被电气地串联连接，多个太阳能电池模块的框架被电气地共通连接，该太阳能电池串的故障诊断装置(20)具有：电压供给部(25)，其将直流电压施加于被串联连接的多个太阳能电池模块的正极和负极之间；测量部(22a)，其对通过施加直流电压而产生的被串联连接的多个太阳能电池模块的正极或负极与框架之间的电位进行测量；以及故障判定部(36)，其基于由测量部(22a)测定出的电位，对太阳能电池串内的产生了故障的太阳能电池模块的位置进行判定。
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公开(公告)号：CN108604870B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201680081655.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。
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公开(公告)号：CN109075198A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680083795.4
申请日：2016-12-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。
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公开(公告)号：CN104350607A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201280073884.2
申请日：2012-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/074
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/186 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 目的在于得到一种抑制缺陷的产生、光电变换效率高的太阳能电池。该太阳能电池具备形成有金字塔状的凹凸部P的n型单晶硅基板1的单晶体等的硅基板、和在该单晶硅基板上形成的非晶质或者微晶半导体层，在所述单晶硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部P的谷部形成了平坦部F。通过该结构，能够使由大致(111)面形成的70～85°的陡峭的凹部角度广角化为115～135°。因此，能够消除由倒角形状所引起的原子台阶状的形状变化，能够抑制非晶质或者微晶半导体层中的外延生长以及缺陷。
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