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公开(公告)号：CN105518865A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201380079189.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/49562 , H01L23/5386 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L27/0664 , H01L29/4236 , H01L29/42372 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L2224/0237 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现组装性的提高以及小型化的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置(1)具有：IGBT，其形成在Si衬底(13)；温度传感二极管(2)，其形成在Si衬底(13)；IGBT的发射极电极焊盘(6)，其配设在Si衬底(13)之上；以及阴极－发射极连接用配线(19)，其配设在Si衬底(13)之上，将发射极电极焊盘(6)与温度传感二极管(2)的阴极电极焊盘(3)电连接。
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公开(公告)号：CN105474543A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380079050.7
申请日：2013-08-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L23/34 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48132 , H01L2224/4846 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H03K17/0828 , H03K2017/0806 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 在半导体衬底(8)之上设置有晶体管(2)。对半导体衬底(8)的上表面的温度进行监测的温度检测用二极管(4)设置在半导体衬底(8)之上。外部电极(7)与晶体管(2)的发射极(E)、温度检测用二极管(4)的阴极(K)共同地连接。由此，能够省略温度检测用二极管(4)的阴极(K)用的外部电极，因此能够使装置小型化、提高组装性。
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公开(公告)号：CN102194784B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201010586664.2
申请日：2010-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/488 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/142 , H01L23/492 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/29076 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置，以解决为了控制更大的电流而加厚了接合部件的厚度时，会恶化其散热性等的问题。本发明的半导体装置，其中包括：作为半导体元件的功率半导体元件(1)；接合功率半导体元件(1)的上表面及下表面的接合部(4)；以及隔着接合部(4)而对半导体元件(1)上下接合的金属板(3、5)，接合部(4)具备配置在功率半导体元件(1)与金属板(3、5)之间的网状金属体(8)，和埋设网状金属体(8)的接合部件(2)。
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公开(公告)号：CN119054187A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202280094961.6
申请日：2022-04-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日山一明
Abstract: 目的在于提供能够使导通速度适当化的技术。驱动装置具有：栅极驱动电路电源，其能够变更输出电压；电源，其具有比输出电压低的固定电压；控制部，其基于与半导体开关元件的负载电流相关的相关信息，对栅极驱动电路电源的输出电压进行变更；以及延迟电路，其在栅极驱动信号变为接通的情况下，在进行了向半导体开关元件的栅极以预先确定的期间供给固定电压的控制之后，进行向栅极供给输出电压的控制。
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公开(公告)号：CN110337784B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780087343.8
申请日：2017-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08 , H03K17/567
Abstract: 对由半导体开关元件刚关断后的米勒期间中的感测电压的上升产生的过电流保护电路的误动作进行抑制。半导体装置具备：半导体开关元件(12)；感测电阻(16)；过电流保护电路(104)，其基于感测电压是否超过阈值，输出用于对半导体开关元件(12)的接通驱动及断开驱动进行控制的控制信号；以及二极管(36)，其对感测电压进行钳位。过电流保护电路(104)在感测电压超过阈值的情况下，输出使半导体开关元件(12)进行断开驱动的信号作为控制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111033989B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201880053807.8
申请日：2018-02-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种对开关器件进行控制的控制电路，该控制电路对第1开关器件以及第2开关器件进行控制，该第1开关器件以及第2开关器件在第1电位与低于第1电位的第2电位之间串联连接且互补地动作，控制电路具有对第1开关器件进行控制的第1控制电路和对第2开关器件进行控制的第2控制电路，控制电路基于第1开关器件以及第2开关器件的一方的温度对第1控制电路以及第2控制电路的电路常数进行可变控制。
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公开(公告)号：CN103036542B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210209562.8
申请日：2012-06-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日山一明
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0828
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，兼顾开关元件刚接通之后的过电流保护电路的误动作的防止和过电流检测延迟的防止。半导体装置具备：感应电阻（4），将在开关元件（1）的感应端子中流过的感应电流转换为电压（感应电压）；过电流保护电路（3），在感应电压超过阈值时，进行开关元件（1）的保护动作。过电流保护电路（3）能够将上述阈值切换为第一基准电压VREF1或者比其低的第二基准电压VREF2。过电流保护电路（3）在开关元件（1）为正常状态时使上述阈值为第二基准电压VREF2，在开关元件（1）的刚接通之后的镜期间时，使上述阈值为第一基准电压VREF1。
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公开(公告)号：CN117751523A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202180100849.4
申请日：2021-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日山一明
Abstract: 本发明的目的在于提供在刚导通后也能够对流过过流状态的开关元件的负载电流的增加进行抑制的开关元件驱动电路。在本发明中，缓冲器(2)输出示出与元件控制信号(S0)相同逻辑电平的栅极驱动信号(S2)，反转缓冲器(3)输出示出与元件控制信号(S0)相反逻辑电平的基极驱动信号(S3)。电阻(11)插入至缓冲器(2)的输出和IGBT(1)的栅极之间。PNP双极晶体管(Q1)的发射极与IGBT(1)的栅极连接，集电极与基准电位(GND)连接。二极管(D1)插入至缓冲器(2)的输出和PNP双极晶体管(Q1)的基极之间。反转缓冲器(3)的输出经由电阻(12)而与PNP双极晶体管(Q1)的基极连接。
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公开(公告)号：CN110168912B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201680091683.3
申请日：2016-12-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日山一明
Abstract: 本发明涉及具备死区时间生成电路的半导体装置，该半导体装置具备：第1、第2状态检测电路，它们分别具有对第1、第2开关器件是否处于截止动作中进行检测而输出第1、第2状态信号的功能，具有生成第1、第2开关器件的接通、断开动作的死区时间的功能；第1逻辑电路，其被输入第1接通‑断开指令信号、第2状态信号，仅在第2开关器件不处于截止动作中的情况下输出使第1开关器件接通的信号，该第1接通‑断开指令信号对第1开关器件指示接通、断开；以及第2逻辑电路，其被输入第2接通‑断开指令信号、第1状态信号，仅在第1开关器件不处于截止动作中的情况下输出使第2开关器件接通的信号，该第1接通‑断开指令信号对第2开关器件指示接通、断开。
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