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公开(公告)号：CN118020160A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202180102784.7
申请日：2021-10-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本发明的目的在于提供在不丧失作为有源栅极的功能的状态下将温度感测二极管内置于沟槽的电力用半导体装置。电力用半导体装置(101)在有源区域(2)具有：p型基极层(9)，其形成于n型漂移层(13)之上；多个n型阱区域(8)，它们形成于p型基极层(9)的表层；以及多晶硅层(10、11、12)，它们隔着绝缘膜形成于各沟槽(17、17A)内。在至少1个沟槽(17A)内形成的多晶硅层(10、11)具有：n型多晶硅层(10)，其与开关元件(20)的发射极端子(15)连接；以及p型多晶硅层(11)，其与开关元件(20)的栅极端子(14)连接，将n型多晶硅层(10)的与沟槽(17A)的侧面相对的面包围。
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公开(公告)号：CN111066148B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201780094516.9
申请日：2017-09-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置(10)在N—型漂移层(1)的上表面侧具有P型阱层(2)、N型发射极层(3)、栅极绝缘膜(4)以及栅极电极(5a、5b)，在N—型漂移层(1)的下表面侧具有N型缓冲层(6)、P型集电极层(7)、N++型层(8)。N++型层(8)在N型缓冲层(6)内局部地形成。N++型层(8)的杂质浓度高于N型缓冲层(6)的杂质浓度，并且N++型层(8)具有大于或等于P型集电极层(7)的杂质浓度的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN114467165B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201980101038.9
申请日：2019-10-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大佐贺毅
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体装置，半导体基板具有流动主电流的有源区域以及比有源区域更靠外侧的末端区域，半导体装置具有：第1主电极，其设置于有源区域之上；第2主电极，其设置于半导体基板的与第1主电极相反侧；保护膜，其至少将末端区域覆盖；以及非电解镀层，其设置于没有被保护膜覆盖的第1主电极之上，第1主电极具有：中央部的中央电极；以及外周电极，其与中央电极隔开间隔地沿中央电极设置，保护膜从末端区域设置到外周电极的端缘部，中央电极及外周电极具有：第1金属层；以及第2金属层，其设置于第1金属层之上且包含铝，至少外周电极具有孔部，该孔部将第2金属层贯穿而到达第1金属层。
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公开(公告)号：CN113039649B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201880099534.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 在半导体衬底(1)的上表面设置有氧化膜(4)。在半导体衬底(1)的上表面设置有保护环(3)。在保护环(3)与半导体衬底(1)的外端部之间的终端区域(7)，有机绝缘膜(6)与氧化膜(4)直接接触。在终端区域(7)，在半导体衬底(1)的上表面设置有槽(8)。槽(8)被有机绝缘膜(6)填埋。
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公开(公告)号：CN110476224B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780089207.2
申请日：2017-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 在晶片(W1)的背面(W1b)形成有环状的凸起部(X1)。在背面(W1b)朝上的晶片(W1)的凸起部(X1)得到了支撑的状态下，通过刀片(BL1)从该晶片(W1)的表面(W1a)侧切断该晶片(W1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114467165A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201980101038.9
申请日：2019-10-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大佐贺毅
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体装置，半导体基板具有流动主电流的有源区域以及比有源区域更靠外侧的末端区域，半导体装置具有：第1主电极，其设置于有源区域之上；第2主电极，其设置于半导体基板的与第1主电极相反侧；保护膜，其至少将末端区域覆盖；以及非电解镀层，其设置于没有被保护膜覆盖的第1主电极之上，第1主电极具有：中央部的中央电极；以及外周电极，其与中央电极隔开间隔地沿中央电极设置，保护膜从末端区域设置到外周电极的端缘部，中央电极及外周电极具有：第1金属层；以及第2金属层，其设置于第1金属层之上且包含铝，至少外周电极具有孔部，该孔部将第2金属层贯穿而到达第1金属层。
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公开(公告)号：CN113039649A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201880099534.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 在半导体衬底(1)的上表面设置有氧化膜(4)。在半导体衬底(1)的上表面设置有保护环(3)。在保护环(3)与半导体衬底(1)的外端部之间的终端区域(7)，有机绝缘膜(6)与氧化膜(4)直接接触。在终端区域(7)，在半导体衬底(1)的上表面设置有槽(8)。槽(8)被有机绝缘膜(6)填埋。
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公开(公告)号：CN119384878A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202280096984.0
申请日：2022-06-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开涉及主电流在半导体基板的厚度方向上流过的功率用半导体装置，半导体基板包括：设置在半导体基板的中央部、且主电流流过的第1活性区域；以及设置在第1活性区域的外侧的第2活性区域，功率用半导体装置包括：设置在第1和第2活性区域上的第1主电极；以及设置于第1主电极相反侧的第2主电极，第2活性区域具有在第1方向上相对的第1两边以及在与所述第1方向正交的第2方向上相对的第2两边，所述第1活性区域中，在所述第2活性区域的所述第1两边间的第1长度和所述第2两边间的第2长度存在长短的情况下，距所述半导体基板的中心的距离设定为小于较短一方的长度的1/4的距离，在不存在长短的情况下，设定为小于任一个的长度的1/4的距离，第1活性区域的第1通电能力设定得比第2活性区域的第2通电能力要低。
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公开(公告)号：CN113039630B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880099521.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/301 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 目的在于提供使对碎裂或者裂纹等进行检测的检查用配线的面积缩小的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板，其在表面包含含有半导体元件的有效区域和在有效区域的周围设置的无效区域，在背面包含背面电极；以及检查用配线，其以将有效区域的外周包围的方式设置于半导体基板的表面的无效区域。检查用配线的一端与在半导体基板的表面的无效区域设置且与背面电极电连接的半导体层接触，从而检查用配线与背面电极电连接。
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