公开(公告)号：CN113632238A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201980094734.1

申请日：2019-04-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村光太

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: IGBT(2)、二极管(3)以及阱区域(4)设置于半导体衬底(1)。IGBT(2)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的沟槽栅极(6)。二极管(3)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的p型阳极层(19)。阱区域(4)设置于半导体衬底(1)的第1主面，具有比p型阳极层(19)浓度高、比沟槽栅极(6)深度深的p型阱层(21)。沟槽栅极(6)的末端设置于阱区域(4)，被p型阱层(21)包围。二极管(3)设置于比IGBT(2)更靠半导体衬底(1)的外侧处。阱区域(4)设置于比二极管(3)更靠半导体衬底(1)的外侧处。

公开(公告)号：CN113632238B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201980094734.1

申请日：2019-04-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村光太

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: IGBT(2)、二极管(3)以及阱区域(4)设置于半导体衬底(1)。IGBT(2)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的沟槽栅极(6)。二极管(3)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的p型阳极层(19)。阱区域(4)设置于半导体衬底(1)的第1主面，具有比p型阳极层(19)浓度高、比沟槽栅极(6)深度深的p型阱层(21)。沟槽栅极(6)的末端设置于阱区域(4)，被p型阱层(21)包围。二极管(3)设置于比IGBT(2)更靠半导体衬底(1)的外侧处。阱区域(4)设置于比二极管(3)更靠半导体衬底(1)的外侧处。

公开(公告)号：CN113039649B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201880099534.0

申请日：2018-11-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 伊藤贵树 ,  大佐贺毅 ,  木村光太

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 在半导体衬底(1)的上表面设置有氧化膜(4)。在半导体衬底(1)的上表面设置有保护环(3)。在保护环(3)与半导体衬底(1)的外端部之间的终端区域(7)，有机绝缘膜(6)与氧化膜(4)直接接触。在终端区域(7)，在半导体衬底(1)的上表面设置有槽(8)。槽(8)被有机绝缘膜(6)填埋。

公开(公告)号：CN113039649A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201880099534.0

申请日：2018-11-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 伊藤贵树 ,  大佐贺毅 ,  木村光太

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 在半导体衬底(1)的上表面设置有氧化膜(4)。在半导体衬底(1)的上表面设置有保护环(3)。在保护环(3)与半导体衬底(1)的外端部之间的终端区域(7)，有机绝缘膜(6)与氧化膜(4)直接接触。在终端区域(7)，在半导体衬底(1)的上表面设置有槽(8)。槽(8)被有机绝缘膜(6)填埋。

公开(公告)号：CN113169226B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201880100188.3

申请日：2018-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村光太

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及的半导体装置具有：基板，其具有IGBT区域、二极管区域、以及IGBT区域与二极管区域之间的高电阻区域；第1电极，其设置于基板的上表面；以及第2电极，其设置于基板的与上表面相反侧的面即背面，就高电阻区域而言，基板的上表面与第1电极之间的接触电阻或者基板的背面与第2电极之间的接触电阻比二极管区域大，高电阻区域的宽度大于或等于基板的厚度。

公开(公告)号：CN108475637A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079077.X

申请日：2016-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野田麻奈美 ,  木村光太

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 在沟槽(4)形成有栅极电极(10)，该沟槽(4)形成于半导体衬底(3)。以将栅极电极(10)等覆盖的方式形成有栅极层间绝缘膜(11)。以与栅极层间绝缘膜(11)接触的方式形成有栅极配线(15)以及发射极电极(17)。以将栅极配线(15)以及发射极电极(17)覆盖的方式形成有玻璃涂层膜(19)以及聚酰亚胺膜(21)。以将聚酰亚胺膜(21)覆盖的方式形成有焊料层(25)。栅极配线(15)以及发射极电极(17)例如由钨膜(14)形成。

公开(公告)号：CN108475637B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201680079077.X

申请日：2016-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野田麻奈美 ,  木村光太

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 在沟槽(4)形成有栅极电极(10)，该沟槽(4)形成于半导体衬底(3)。以将栅极电极(10)等覆盖的方式形成有栅极层间绝缘膜(11)。以与栅极层间绝缘膜(11)接触的方式形成有栅极配线(15)以及发射极电极(17)。以将栅极配线(15)以及发射极电极(17)覆盖的方式形成有玻璃涂层膜(19)以及聚酰亚胺膜(21)。以将聚酰亚胺膜(21)覆盖的方式形成有焊料层(25)。栅极配线(15)以及发射极电极(17)例如由钨膜(14)形成。

公开(公告)号：CN113169226A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201880100188.3

申请日：2018-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村光太

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及的半导体装置具有：基板，其具有IGBT区域、二极管区域、以及IGBT区域与二极管区域之间的高电阻区域；第1电极，其设置于基板的上表面；以及第2电极，其设置于基板的与上表面相反侧的面即背面，就高电阻区域而言，基板的上表面与第1电极之间的接触电阻或者基板的背面与第2电极之间的接触电阻比二极管区域大，高电阻区域的宽度大于或等于基板的厚度。