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公开(公告)号：CN101276993B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710305756.7
申请日：2007-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。
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公开(公告)号：CN101752783A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910226581.X
申请日：2009-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , Y10S117/915
Abstract: 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的中央凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。
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公开(公告)号：CN101442184A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810173377.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。其目的在于在半导体装置、特别是在激光二极管的制作中使用的氮化物半导体装置中，抑制工艺的复杂化或成品率的下降、并抑制电极剥离。本发明的氮化物半导体装置具备：在表面具有脊(2)的P型半导体层(1)；至少覆盖脊(2)侧面的SiO2膜(3)；形成在SiO2膜(3)的表面的将硅作为主要成分的粘合层(4)；形成在脊(2)的上表面以及粘合层(4)的表面上的P型电极(5)。
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公开(公告)号：CN101442094A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810176804.1
申请日：2008-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。
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公开(公告)号：CN1286227C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN03120129.6
申请日：2003-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01L33/44 , H01S5/0287
Abstract: 本发明的课题是构成具有设计自由度高的低反射率的覆盖膜的光半导体器件。本发明的光半导体器件系在具有等效折射率nc的半导体激光器12的一个端面上设置具有折射率为n1、膜厚为d1的第1层镀膜16和折射率为n2、膜厚为d2的第2层镀膜18的低反射镀膜14，该低反射镀膜14以如下方式制成：在使第2层镀膜18的表面上的自由空间的折射率为n0时，在半导体激光器的规定的激光波长λ0处，由该波长λ0、折射率n1和n2、膜厚d1和d2规定的振幅反射率的实部和虚部为0，并且在n1、n2中只有某一方小于nc与n0的乘积的平方根。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118120121A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202180103423.4
申请日：2021-11-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
Abstract: 光半导体装置(1)构成为具备：半导体层(2)，形成有谐振器(2r)；反射膜(2ce)，覆盖半导体层(2)的两端面(2fe)；电极焊盘(31)，通过金属层的层叠而形成；支承体(4)，分别配置于安装面(2ft)的靠近两端面(2fe)的位置，具有从安装面(2ft)起的高度成为最大的支承面(4fs)而在涂敷反射膜(2ce)时支承夹具；以及遮蔽机构，以囊括在左右方向上形成有接合面(3fp)的区域的方式，在与两端面(2fe)邻接的边和接合面(3fp)之间，分别延伸有比接合面(3fp)高的部分。
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公开(公告)号：CN104810723A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510032860.8
申请日：2015-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/323 , H01S5/1225 , H01S5/1231 , H01S5/3211
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缩短电子束光刻所需的时间的分布反馈型半导体激光元件以及分布反馈型半导体激光元件的制造方法。该分布反馈型半导体激光元件的特征在于，具有：衬底(12)；活性层(16)，其形成在该衬底(12)的上方；以及衍射光栅(20)，其具有第1图案(20a)以及比该第1图案(20a)短且与该第1图案(20a)的中央部相对的第2图案(20b)，对该活性层(16)产生的光进行衍射。
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公开(公告)号：CN101877456A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010143171.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34306 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3213
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。
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公开(公告)号：CN100485986C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610099681.7
申请日：2003-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/08 , H01L31/0232 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从-1%到+2.0%范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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公开(公告)号：CN101276993A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710305756.7
申请日：2007-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。
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