公开(公告)号：CN112913092B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201880097440.X

申请日：2018-11-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川喜之

IPC: H01S5/042

Abstract: 光半导体装置(90)具备：光半导体芯片(1)，其在半导体基板(30)形成有至少一个光元件电极(38)及第二电极(39b)连接，并且延伸到光半导体芯片(1)的外侧。光半导体装置(90)的第一电极(38)及第二电极(39b)形成于光半导体芯片(1)的表面侧，并且延伸布线图案(3)配置于光半导体芯片(1)的表面或者从表面离开的位置。(6)；和延伸布线图案(3)，其与光元件(6)的第一

公开(公告)号：CN118120121A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202180103423.4

申请日：2021-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川喜之 ,  川崎和重

IPC: H01S5/028

Abstract: 光半导体装置(1)构成为具备：半导体层(2)，形成有谐振器(2r)；反射膜(2ce)，覆盖半导体层(2)的两端面(2fe)；电极焊盘(31)，通过金属层的层叠而形成；支承体(4)，分别配置于安装面(2ft)的靠近两端面(2fe)的位置，具有从安装面(2ft)起的高度成为最大的支承面(4fs)而在涂敷反射膜(2ce)时支承夹具；以及遮蔽机构，以囊括在左右方向上形成有接合面(3fp)的区域的方式，在与两端面(2fe)邻接的边和接合面(3fp)之间，分别延伸有比接合面(3fp)高的部分。

公开(公告)号：CN112913092A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201880097440.X

申请日：2018-11-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川喜之

IPC: H01S5/042

Abstract: 光半导体装置(90)具备：光半导体芯片(1)，其在半导体基板(30)形成有至少一个光元件(6)；和延伸布线图案(3)，其与光元件(6)的第一电极(38)及第二电极(39b)连接，并且延伸到光半导体芯片(1)的外侧。光半导体装置(90)的第一电极(38)及第二电极(39b)形成于光半导体芯片(1)的表面侧，并且延伸布线图案(3)配置于光半导体芯片(1)的表面或者从表面离开的位置。

公开(公告)号：CN116235371B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202080105485.4

申请日：2020-10-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川喜之

IPC: H01S5/02315 ,  H01S5/0235

Abstract: 半导体激光装置(100)具备：次基台(30)，具备底板部(45)和从底板部(45)的表面突出的凸部(46)；和半导体激光器(1)，与次基台(30)接合。半导体激光器(1)具备：半导体基板(2)；半导体构造部(3)，形成于半导体基板(2)的表面，并包含活性层(5)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。半导体激光器(1)的与凸部(46)相对的侧面以及第二电极(9)分别通过接合部件(40)而与凸部(46)的与半导体激光器(1)相对的侧面以及底板部(45)的表面接合。将凸部(46)的侧面与半导体激光器(1)的侧面接合的接合部件(40)的在凸部(46)所突出的方向亦即z方向上的端部，位于比半导体激光器(1)的半导体基板(2)的表面更靠z方向的远处的位置。

公开(公告)号：CN118830155A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202280093159.5

申请日：2022-03-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川喜之

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/026

Abstract: 本发明具备以下工序：在半导体基板(12)之上形成具有第一开口(20a)的第一绝缘膜(20)的工序；在第一绝缘膜(20)之上形成第一抗蚀剂(24)的工序，该第一抗蚀剂(24)在第一开口(20a)之上具有比第一开口(20a)大的第二开口(24a)；在第一开口(20a)内、第二开口(24a)内、第二开口(24a)之上以及第一抗蚀剂(24)之上形成栅电极(18)的工序；在栅电极(18)之上形成至少覆盖第二开口(24a)的铅垂上方且比第二开口(24a)宽度宽的第二抗蚀剂(26)的工序；以及将第二抗蚀剂(26)作为掩膜，蚀刻到栅电极(18)和第一抗蚀剂(24)的中途为止的工序。

公开(公告)号：CN116235371A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202080105485.4

申请日：2020-10-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川喜之

IPC: H01S5/02315 ,  H01S5/0235

Abstract: 半导体激光装置(100)具备：次基台(30)，具备底板部(45)和从底板部(45)的表面突出的凸部(46)；和半导体激光器(1)，与次基台(30)接合。半导体激光器(1)具备：半导体基板(2)；半导体构造部(3)，形成于半导体基板(2)的表面，并包含活性层(5)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。半导体激光器(1)的与凸部(46)相对的侧面以及第二电极(9)分别通过接合部件(40)而与凸部(46)的与半导体激光器(1)相对的侧面以及底板部(45)的表面接合。将凸部(46)的侧面与半导体激光器(1)的侧面接合的接合部件(40)的在凸部(46)所突出的方向亦即z方向上的端部，位于比半导体激光器(1)的半导体基板(2)的表面更靠z方向的远处的位置。