半导体光电器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100485986C

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200610099681.7

    申请日:2003-09-26

    Abstract: 本发明提供一种宽广波长频带范围内,备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体,以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜;上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi,关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi>λ/4的关系,同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准,包括连续从-1%到+2.0%范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。

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