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公开(公告)号：CN101626142A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910117972.8
申请日：2009-02-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2214 , H01S5/2224
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器的制造方法。通过本发明，能够得到确保可靠性的高效率的半导体激光器的制造方法。在GaAS衬底(10)(半导体衬底)上依次层叠n型包层(12)(第一导电型半导体层)、活性层(14)、p型包层(16)(第二导电型半导体层)。在p型包层(16)中形成脊部(20)。通过成膜温度600℃前后的热CVD法在p型包层(16)上形成SiN膜(22)(第一绝缘膜)。在SiN膜(22)上，通过成膜温度300℃前后的等离子体CVD法，形成SiN膜(24)(第二绝缘膜)。在SiN膜(24)上形成电极(26)。
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公开(公告)号：CN101588020A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910009970.7
申请日：2009-01-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/1064 , H01S5/4025 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。
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公开(公告)号：CN100446361C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610074337.2
申请日：2006-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/2231 , H01S5/4081 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 具有多个发光点的半导体激光器装置中，施加到发光点处的应力根据从芯片中心到发光点的距离而变化，随着从芯片中心远离而变大，但是，因为各发光点的间隔因所使用的波段而存在限制，所以，不能将所有的发光点都配置在芯片的中心附近。本发明的半导体激光器装置是具有二个以上发光点的半导体激光器装置，每个所述发光点都具有脊型条纹结构，将所述二个以上的发光点中的至少一个发光点配置在从衬底的宽度方向的中心离开所述衬底宽度的0%以上15%以下的位置上。
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公开(公告)号：CN101272034A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810083035.0
申请日：2008-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/02 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/83121 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在针对在眼孔上粘结次粘着基台和半导体芯片的封装件的安装方式中，由于组装装置的精度的影响，眼孔的中心线和激光二极管的中心线倾斜，并且用于引线接合的Au球露出到电极外。引线接合用电极图形具有引线接合基准图形和引线接合识别图形，将从引线接合基准图形到引线接合位置的距离和从引线接合识别图形到引线接合位置的距离设定为预定的值，由此，能够精度良好地进行引线接合。
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公开(公告)号：CN111937259B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201880091918.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体光元件具有第一包层、第二包层、光限制层(2、20)，该第二包层具有形成为脊形状的脊部(20)，该光限制层(2、20)位于第一包层和第二包层之间，对光进行传播，脊部(20)从接近光限制层(2、20)的一侧起依次具有脊下部(5)、脊中间部(6)、脊上部(8)，脊中间部(6)的与光限制层(2、20)中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比脊下部(5)及脊上部(8)宽的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113906640A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201980097117.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山口勉
Abstract: 本发明涉及半导体光集成元件，激光器部(2)和受光元件部(3)沿着激光器的光轴配置于同一半导体基板(10)，激光器部(2)及受光元件部(3)均从靠近半导体基板(10)的一侧起依次具有限制光的光限制层(12)、包覆层(14)以及由InGaAs层或InGaAsP层形成的接触层(152、153)，激光器部(2)的光限制层为活性层(12)，受光元件部的接触层(153)为光吸收层，包覆层(14)为在与光轴垂直的剖面中光限制层(12)侧的宽度比接触层(152、153)侧的宽度窄的形状的脊构造，半导体光集成元件为在光限制层(12)、包覆层(14)以及接触层(152、153)的侧面不具有半导体埋入层的构造。
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公开(公告)号：CN1845408A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610074337.2
申请日：2006-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/2231 , H01S5/4081 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 具有多个发光点的半导体激光器装置中，施加到发光点处的应力根据从芯片中心到发光点的距离而变化，随着从芯片中心远离而变大，但是，因为各发光点的间隔因所使用的波段而存在限制，所以，不能将所有的发光点都配置在芯片的中心附近。本发明的半导体激光器装置是具有二个以上发光点的半导体激光器装置，每个所述发光点都具有脊型条纹结构，将所述二个以上的发光点中的至少一个发光点配置在从衬底的宽度方向的中心离开所述衬底宽度的0％以上15％以下的位置上。
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公开(公告)号：CN113906640B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201980097117.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山口勉
Abstract: 本发明涉及半导体光集成元件，激光器部(2)和受光元件部(3)沿着激光器的光轴配置于同一半导体基板(10)，激光器部(2)及受光元件部(3)均从靠近半导体基板(10)的一侧起依次具有限制光的光限制层(12)、包覆层(14)以及由InGaAs层或InGaAsP层形成的接触层(152、153)，激光器部(2)的光限制层为活性层(12)，受光元件部的接触层(153)为光吸收层，包覆层(14)为在与光轴垂直的剖面中光限制层(12)侧的宽度比接触层(152、153)侧的宽度窄的形状的脊构造，半导体光集成元件为在光限制层(12)、包覆层(14)以及接触层(152、153)的侧面不具有半导体埋入层的构造。
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公开(公告)号：CN110050396A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780076049.7
申请日：2017-08-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山口勉
IPC: H01S5/22
Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成脊构造(9)，该脊构造(9)具有脊下部(6)以及脊上部(8)，该脊上部(8)配置于脊下部(6)之上，具有比脊下部(6)宽的宽度。将脊构造(9)的凹陷部位(11)通过原子层沉积法而由绝缘膜(10)完全填埋，由此利用半导体衬底(1)、脊构造(9)以及绝缘膜(10)形成在侧面没有台阶的凸形状(19)，其中，脊构造(9)的凹陷部位(11)是由于脊下部(6)与脊上部(8)的宽度之差，脊下部(6)相对于脊上部(8)在横向内缩而产生的。
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