公开(公告)号：CN105305230A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510450855.9

申请日：2015-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/227 ,  H01S5/02 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/06226 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/309

Abstract: 得到一种能够兼顾高速动作和高输出化的光半导体装置。台面条带构造(2)具有依次层叠的n型InP包覆层(3)、活性层(4)、以及p型InP包覆层(5)。埋入层(7)埋入在台面条带构造(2)的两侧。活性层(4)是具有阱层和添加有碳的势垒层的多量子阱构造。埋入层(7)具有依次层叠的p型InP层(10)和Fe掺杂InP层(11)。n型InP包覆层(3)的侧面由p型InP层(10)覆盖，与Fe掺杂InP层(11)不相接。活性层(4)的侧面与p型InP层(10)不相接。

公开(公告)号：CN101593930B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910002706.0

申请日：2009-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泷口透 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2275

Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm-3以下。

公开(公告)号：CN118541886A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202280059560.7

申请日：2022-01-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  境野刚

IPC: H01S5/185 ,  H01S5/183

Abstract: 在第一导电型的半导体基板(1)之上，有源部(A)以及无源部(B)沿第一方向交替地排列。电极(2)设置于有源部(A)之上。有源部(A)具有在半导体基板(1)之上依次层叠的活性层(4)、第二导电型包覆层(5)、第二导电型接触层(6)。有源部(A)成为在与第一方向正交的第二方向上被前端面(8)和后端面(9)夹着的共振器结构。有源部(A)的第二导电型接触层(6)与电极(2)接触。无源部(B)具有：第二导电型接触层(6)、和设置于第二导电型接触层(6)之上的第一导电型层(7)。

公开(公告)号：CN114026752A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201980097904.1

申请日：2019-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  渊田步 ,  岛田征明 ,  境野刚 ,  高濑祯

IPC: H01S5/023 ,  H01S5/02315

Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：作为基体材料的管座(1)；LD次基台(2)，设置有表面电极(20a、20b)，并与管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面电极(20a)，并与表面电极(20b)连接；以及引线(3a、3b)，经由设置于LD次基台(2)的通孔(2c、2d)内的埋入层(21a、21b)而与表面电极(20a、20b)电连接，并通过封接部件(10a、10b)固定于设置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)与LD次基台(2)的接合面侧的、封接部(10a、10b)或LD次基台(2)的引线(3a、3b)与埋入层(21a、21b)的连接部的周围设置有槽部(10ad、10bd)，由此得到良好的调制光波形。

公开(公告)号：CN111052520A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201780094518.8

申请日：2017-09-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/12

Abstract: 半导体光器件具有：半导体衬底，其具有宽度及长度；激光器部，其设置于半导体衬底之上，包含有源层；以及光波导通路部，其设置于半导体衬底之上的激光器部的相邻处而与激光器部接合。光波导通路部包含与有源层的端部连接的芯层和将芯层夹在内侧的一对包层，该光波导通路部将从与激光器部之间的接合界面入射的光从出射端面射出。半导体光器件具有在光波导通路部的上表面设置的反射抑制层。反射抑制层叠放于光波导通路部的上表面中的长度方向上的光波导通路部的中央部，该反射抑制层设置得比光波导通路部的全长短。反射抑制层抑制朝向中央部而在包层之中行进的光在中央部被反射。

公开(公告)号：CN110431720A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201780088584.4

申请日：2017-03-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚 ,  中村直干 ,  奥贯雄一郎

IPC: H01S5/026

Abstract: 半导体激光器(2)具有n型半导体衬底(1)和在n型半导体衬底(1)之上依次层叠的n型包覆层(4)、有源层(5)以及p型包覆层(6)。光波导(3)具有芯层(9)和包覆层(10)，该芯层(9)位于n型半导体衬底(1)之上且设置于半导体激光器(2)的光输出侧，没有掺杂杂质，与有源层(5)相比禁带宽度大，该包覆层(10)设置于芯层(9)之上，与p型包覆层(6)相比载流子浓度低。半导体激光器(2)具有载流子注入区域(X1)以及在载流子注入区域(X1)和光波导(3)之间设置的非载流子注入区域(X2)。

公开(公告)号：CN102110953A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010196843.5

申请日：2010-06-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/2275 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222

Abstract: 本发明能够获得半导体光元件和集成型半导体光元件，其中，在台面条状的层叠体的侧部具有埋入层的半导体光元件和集成型半导体光元件中，能够抑制在埋入层中流过的无效电流，并且实现高速响应特性。形成有在p型半导体衬底(1)上从下层起至少依次层叠了p型包覆层(2)、活性层(3)和n型包覆层(4)的台面条状的层叠体，在层叠体的侧部形成有埋入层，在埋入层中从下层起依次层叠有第一p型半导体层(5)、第一n型半导体层(6)、Fe掺杂半导体层(7)、第二n型半导体层(8)、低载流子浓度半导体层(9)和第二p型半导体层(10)，Fe掺杂半导体层(7)不在由第一p型半导体层(5)和第一n型半导体层(6)构成的结晶面的(111)B面上生长，第二n型半导体层(8)不在由第一n型半导体层(5)、第一n型半导体层(6)和Fe掺杂半导体层(7)构成的结晶面的(111)B面上生长。

公开(公告)号：CN114026752B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201980097904.1

申请日：2019-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  渊田步 ,  岛田征明 ,  境野刚 ,  高濑祯

IPC: H01S5/023 ,  H01S5/02315

Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：作为基体材料的管座(1)；LD次基台(2)，设置有表面电极(20a、20b)，并与管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面电极(20a)，并与表面电极(20b)连接；以及引线(3a、3b)，经由设置于LD次基台(2)的通孔(2c、2d)内的埋入层(21a、21b)而与表面电极(20a、20b)电连接，并通过封接部件(10a、10b)固定于设置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)与LD次基台(2)的接合面侧的、封接部(10a、10b)或LD次基台(2)的引线(3a、3b)与埋入层(21a、21b)的连接部的周围设置有槽部(10ad、10bd)，由此得到良好的调制光波形。

公开(公告)号：CN111937260B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201880092013.2

申请日：2018-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  中村直干 ,  境野刚

IPC: H01S5/227

Abstract: 具有：有源层脊(6)，其在n型InP衬底(1)之上依次层叠了n型包覆层(2)、有源层(3)、第一p型包覆层(4)、第二n型阻挡层(5)，有源层脊(6)是从比有源层(3)低的位置凸出而形成的；填埋层(7)，其将有源层脊(6)的两侧填埋至比有源层(3)高的位置；第一n型阻挡层(8)，其在有源层脊(6)的两侧层叠于填埋层(7)的表面侧；以及第二p型包覆层(10)，其对有源层脊(6)的端部以及第一n型阻挡层(8)进行填埋，在处于有源层脊(6)顶部的第二n型阻挡层(5)的中央设置使空穴电流通过的电流狭窄窗(9)。

公开(公告)号：CN111052520B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201780094518.8

申请日：2017-09-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  境野刚 ,  上辻哲也 ,  中村直干

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/12

Abstract: 半导体光器件具有：半导体衬底，其具有宽度及长度；激光器部，其设置于半导体衬底之上，包含有源层；以及光波导通路部，其设置于半导体衬底之上的激光器部的相邻处而与激光器部接合。光波导通路部包含与有源层的端部连接的芯层和将芯层夹在内侧的一对包层，该光波导通路部将从与激光器部之间的接合界面入射的光从出射端面射出。半导体光器件具有在光波导通路部的上表面设置的反射抑制层。反射抑制层叠放于光波导通路部的上表面中的长度方向上的光波导通路部的中央部，该反射抑制层设置得比光波导通路部的全长短。反射抑制层抑制朝向中央部而在包层之中行进的光在中央部被反射。