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公开(公告)号：CN108292655B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201680064838.4
申请日：2016-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到一种功率模块，通过抑制高温时、低温时或使用电压为高电压时的气泡的发生以及硅胶与绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能的劣化，确保绝缘性能。一种功率模块，其特征在于，具备：绝缘基板(2)，在上表面搭载有半导体元件(3)；基体板(1)，与绝缘基板(2)的下表面接合；壳体部件(6)，包围绝缘基板(2)，粘接到基体板(1)；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(6)包围的区域，对绝缘基板(2)进行密封；以及压板(9)，从壳体部件(6)的内壁向绝缘基板(2)的外周部的上方突出，紧固于内壁，并与密封树脂(8)相接。
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公开(公告)号：CN111801794A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201880089195.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 原田耕三
Abstract: 半导体功率模块(1)具备基体板(3)、绝缘基板(7)、功率半导体元件(17)、外部端子(23)、主端子(31)、被连接体(33)、壳体(21)、高绝缘耐电压性树脂剂(25)、密封树脂(27)以及盖(29)。主端子(31)与被连接体(33)连接。被连接体(33)与金属板(13)直接接合。在被连接体(33)设置有收容主端子(31)的收容部(34)。在收容部(34)设置有狭缝部。狭缝部从收容部(34)中的绝缘基板(7)所处的下端侧朝向与绝缘基板(7)所处的一侧相反的一侧的上端侧延伸。
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公开(公告)号：CN110800105A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880040224.1
申请日：2018-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够小型化且可靠性高的半导体装置。半导体装置(100)具备：具有主表面的绝缘基板(41)、半导体元件(2)、壳体材料(5)以及作为密封材料的密封树脂(1)。半导体元件(2)配置在绝缘基板(41)的主表面上。壳体材料(5)包围半导体元件(2)，并与绝缘基板(41)连接。密封树脂(1)配置在由壳体材料(5)和绝缘基板(41)包围的内部区域，包围半导体元件(2)。壳体材料(5)包括与连接于绝缘基板(41)的连接部相连且面向内部区域的凹部(51)。凹部(51)包括作为面向绝缘基板(41)的主表面的内壁部分的相向面(61)。从绝缘基板(41)的主表面(第1电路基板(31)的上表面)到作为内壁部分的相向面(61)的距离(H1)大于从主表面到半导体元件(2)的上表面(2a)的距离(H2)。
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公开(公告)号：CN105304588A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510303046.5
申请日：2015-06-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/4275 , H01L21/4871 , H01L23/3675 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2924/0002 , Y10T428/24802 , H01L2924/00
Abstract: 在现有的半导体装置中，通过作为散热材料而涂敷相变材料，从而形成有图案。本发明提供一种半导体装置，其在处于温度管理不充分的环境情况下，即使对由变为液态的相变材料形成的图案施加冲击，也能够减少图案的形状的塌毁。本发明的半导体装置具备：半导体元件，其安装于半导体模块(10)的内部；散热面(13)，其形成于半导体模块(10)，将由半导体元件产生的热量向散热器散热；图案(14)，其由相变材料构成，形成在散热面上；以及作为第1薄膜的薄膜(15)，其覆盖图案(14)。
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公开(公告)号：CN119365978A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202280097137.6
申请日：2022-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L23/29
Abstract: 半导体装置(100A、100B、100C、100D、100E)具备散热器(10)、半导体元件(20)、冷却器(40)、绝缘层(50)以及密封部件(70)。散热器具有第1面(10a)和作为第1面的相反面的第2面(10b)。半导体元件具有第3面(20a)和作为第3面的相反面的第4面(20b)，并且配置成使第4面与第1面对置。以隔着绝缘层而与第1面对置的方式配置有冷却器。在冷却器的内部设置有使制冷剂流动的流路(41)。密封部件对散热器、半导体元件以及冷却器进行密封。在俯视时，冷却器的投影面积是散热器的投影面积以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111801794B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201880089195.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 原田耕三
Abstract: 半导体功率模块(1)具备基体板(3)、绝缘基板(7)、功率半导体元件(17)、外部端子(23)、主端子(31)、被连接体(33)、壳体(21)、高绝缘耐电压性树脂剂(25)、密封树脂(27)以及盖(29)。主端子(31)与被连接体(33)连接。被连接体(33)与金属板(13)直接接合。在被连接体(33)设置有收容主端子(31)的收容部(34)。在收容部(34)设置有狭缝部。狭缝部从收容部(34)中的绝缘基板(7)所处的下端侧朝向与绝缘基板(7)所处的一侧相反的一侧的上端侧延伸。
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公开(公告)号：CN115939061A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211184393.7
申请日：2022-09-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请的功率模块包括：具有热传导性的板状的散热器；至少热连接到散热器的一个面的半导体元件；一个面热连接到散热器的另一个面的板状的高散热绝缘粘接片材；一个面热连接到高散热绝缘粘接片材的另一个面的金属板；以及在使金属板的另一个面露出的状态下密封半导体元件、散热器、高散热绝缘粘接片材、金属板的密封树脂构件，高散热绝缘粘接片材是将树脂浸渍于陶瓷颗粒具有空隙并且整体烧结的多孔陶瓷烧结体后得到的复合体。
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公开(公告)号：CN114981956A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080092647.5
申请日：2020-01-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率模块(101)具有绝缘基板(21)、壳体构件(6)、功率半导体元件(3)、底座构件(1)、密封构件(8)以及粘接构件(12)。绝缘基板(21)具有第一面(51)以及与第一面(51)相反侧的第二面(52)。壳体构件(6)在从与第一面(51)垂直的方向看时包围绝缘基板(21)。功率半导体元件(3)面对第一面(51)。底座构件(1)面对第二面(52)。密封构件(8)将功率半导体元件(3)和绝缘基板(21)进行密封，且与壳体构件(6)相接。粘接构件(12)将底座构件(1)与壳体构件(6)进行固定，且在从与第一面(51)垂直的方向看时包围绝缘基板(21)。底座构件(1)具有与粘接构件(12)相接的第三面(53)、与第三面(53)相连且与密封构件(8)相接的第四面(54)以及面对第二面(52)的第五面(55)。在从与第五面(55)垂直的方向上，第三面(53)的内侧端部(35)位于与第五面(55)不同的高度。第三面(53)相对于第四面(54)倾斜。
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公开(公告)号：CN114747000A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201980102607.1
申请日：2019-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(50)具备半导体元件(1)、至少一个第1树脂部件(2)以及至少一个导电线(3)。半导体元件(1)包括表面电极(10)和本体部(11)。至少一个第1树脂部件(2)配置于表面电极(10)的第2面(10t)。至少一个导电线(3)包括接合部(30)。至少一个第1树脂部件(2)包括凸部(20)。凸部(20)向相对表面电极(10)与本体部(11)相反的一侧突出。至少一个导电线(3)包括凹部(31)。凹部(31)与接合部(30)相邻。凹部(31)沿着凸部(20)延伸。凹部(31)与凸部(20)嵌合。
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公开(公告)号：CN108369927A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680068081.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48111 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备：在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2；与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5；将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4；与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1；包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6；密封树脂8，其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为-55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。
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