公开(公告)号：CN108701594A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014830.1

申请日：2017-02-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 物种武士 ,  川濑佑介 ,  凑忠玄 ,  竹野祥瑞 ,  永山贵久 ,  南竹春彦 ,  金田和德 ,  巽裕章

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/0876 ,  B23K26/352 ,  B23K26/705 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/26513

Abstract: 热处理装置具备振荡得到激光的激光振荡器(1)、使从激光振荡器(1)振荡得到的激光向被处理物(5)照射的一个以上的光学系统(2)、以及供被处理物(5)搭载的旋转台(3)，在将通过激光的一次照射得到的被处理物(5)的激活率达到目标值的被处理物(5)的达到温度设为第1温度时，将比第1温度低的第2温度设定为被处理物(5)的达到温度的目标值，从光学系统(2)对被处理物(5)反复进行两次以上激光的照射。

公开(公告)号：CN105074875A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201380074352.5

申请日：2013-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金田和德 ,  凑忠玄 ,  川濑祐介

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明所涉及的激光退火装置的特征在于，具有：载置台，其载置被加热物；第1激光元件，其放射第1连续激光；第1光学系统，其将该第1连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第1照射区域；第2激光元件，其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；第2光学系统，其将该第2连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第2照射区域；以及系统控制器，其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。

公开(公告)号：CN1237619C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02803195.4

申请日：2002-01-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新田哲也 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的半导体装置，在半导体衬底(1)内，有反复重复地构成互相连接形成pn结的n型扩散区(3)和p型扩散区(4)被槽(1a)夹在中间的单元结构，给各单元结构内的n型扩散区(3)的杂质量和p型扩散区(4)的杂质量被设定得不等(不同)。因此，在有槽(1a)的半导体装置中能兼顾良好的耐压和雪崩破坏承受能力。

公开(公告)号：CN1223004C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN98811412.7

申请日：1998-07-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新田哲也 ,  凑忠玄 ,  上西明夫

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底的第1主面上形成了多个槽(5a)，在槽(5a)间被夹住的区域内形成了p型扩散区(2)和n型扩散区(3)，以便沿槽的深度方向构成pn结。p型扩散区(2)具有从一方的槽(5a)的侧壁面扩散了p型杂质的杂质浓度分布，n型扩散区(3)具有从另一方的槽(5a)的侧壁面扩散了n型杂质的杂质浓度分布。在p型扩散区(2)和n型扩散区(3)的第2主面一侧形成了n+高浓度衬底区(1)。槽5a的从第1主面算起的深度Td比p型和n型扩散区(2、3)的从第1主面算起的深度Nd深了p型扩散区(2)内的p型杂质或n型扩散区(3)内的n型杂质的制造时的扩散长度L以上。由此，可得到高耐压、低导通电阻的半导体装置。

公开(公告)号：CN104377235B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201410514446.6

申请日：2008-02-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 凑忠玄 ,  高野和丰

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/745 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455

Abstract: 半导体衬底(1)在第一主表面具有槽(1b)。绝缘栅型场效应部包含形成在第一主表面的栅电极(12a)。电位固定用电极(12b)埋入槽(1b)内且具有在所述第一主表面上以宽度(w2)比槽(1b)的宽度(w1)大的方式伸出的伸出部。发射极形成在第一主表面上，与栅电极(12a)电绝缘且连接到电位固定用电极(12b)的伸出部的整个上表面上。这样可以得到能够通过抑制铝尖峰的产生而提高可靠性的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN101667537B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200910141813.1

申请日：2009-05-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高野和丰 ,  村上纯一 ,  凑忠玄

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/33 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/405 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7395 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置的制造方法，该方法能够无弊病地形成用于实现半导体装置的高耐压化、耐压稳定化、电极的电位稳定化、耐压保持区域的缩短等的半绝缘性膜。该方法的特征在于包括以下工序：在半导体衬底表面形成P型区域的工序；在该P型区域上形成Al电极的工序；形成与该Al电极相接并由与Al相比不易与Si反应的物质构成的层间膜的工序；以及在该层间膜上形成含有Si的半绝缘性膜的工序。

公开(公告)号：CN101330101A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810081235.2

申请日：2008-02-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 凑忠玄 ,  高野和丰

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455

Abstract: 半导体衬底(1)在第一主表面具有槽(1b)。绝缘栅型场效应部包含形成在第一主表面的栅电极(12a)。电位固定用电极(12b)埋入槽(1b)内且具有在所述第一主表面上以宽度(w2)比槽(1b)的宽度(w1)大的方式伸出的伸出部。发射极形成在第一主表面上，与栅电极(12a)电绝缘且连接到电位固定用电极(12b)的伸出部的整个上表面上。这样可以得到能够通过抑制铝尖峰的产生而提高可靠性的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1223008C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01811220.X

申请日：2001-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 凑忠玄 ,  新田哲也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的半导体器件具有p型杂质区(4)和n型漂移区(3)并列的结构重复2次以上的pn重复结构，位于该pn重复结构的最端部的作为p型杂质区(4)及n型漂移区(3)的任一区的低浓度区在构成pn重复结构的所有的p杂质区(4)及n型漂移区(3)中具有最低的杂质浓度或者最少的总有效电荷量。由此，特别是可以改善应用了元件耐压在20～6000V的宽广范围的3维的多重RESURF原理的功率半导体器件的主耐压，改善主耐压与导通电阻的折衷关系，所以能得到功率损失少、芯片尺寸小、廉价的元件。并且，通过使用虚线沟槽(DLT)结构的沟槽及与之对应的制造方法，能以更低的成本制造高成品率的半导体器件。

公开(公告)号：CN1488172A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN02803195.4

申请日：2002-01-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新田哲也 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的半导体装置，在半导体衬底(1)内，有反复重复地构成互相连接形成pn结的n型扩散区(3)和p型扩散区(4)被槽(1a)夹在中间的单元结构，给各单元结构内的n型扩散区(3)的杂质量和p型扩散区(4)的杂质量被设定得不等(不同)。因此，在有槽(1a)的半导体装置中能兼顾良好的耐压和雪崩破坏承受能力。

公开(公告)号：CN1139134C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN98809194.1

申请日：1998-01-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 凑忠玄

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397

Abstract: 在绝缘栅型双极型半导体装置中，为了在不损害正向电压降及开关特性的情况下扩展负载短路安全工作区，使在发射极杂质区的内部、且在发射极与非常靠近栅极的附近之间产生的电阻成为与直接与发射极接触的发射极杂质区的距离无关的预定的值。