公开(公告)号：CN101236982A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008514.6

申请日：2008-01-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 清水龙 ,  小田真弘

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643

Abstract: 一种摄像装置，其包括：电荷增加部，其用于使电荷增加；第一电极，其用于施加将与电荷增加部相邻的区域调整为规定电位的电压；第二电极，其被设置成与第一电极相邻，用于施加在电荷增加部使电荷增加的电压；第一布线，其形成在规定的层，并且用于向第一电极供给信号；和第二布线，其形成在与规定的层不同的层，并且用于向第二电极供给信号。

公开(公告)号：CN1534797A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031622.7

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 武田安弘 ,  中野勇男 ,  金田和博 ,  小田真弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种提高动作速度的同时能抑制临界电压的变动的半导体装置。该半导体装置中，将氟导入到跨越第一导电型半导体区域和第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、栅极绝缘膜与沟道区域的至少中央区域的以及栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。

公开(公告)号：CN1447412A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107903.2

申请日：2003-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  笹田一弘 ,  小田真弘

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底(1)上形成缓冲膜(10)，形成元件隔离沟槽(2)，在元件隔离沟槽的表面上形成氧化膜(3)，以及用氢氟酸清洗半导体衬底。清洗去除了部分缓冲膜，缓冲膜的端部从元件隔离沟槽的顶边向内去除预定的距离(x)。距离和氧化膜的厚度(d)由表达式0≤x≤(d/2sinθ)表示，其中x表示距离，θ表示平行于半导体衬底的平面和元件隔离沟槽的侧面之间的角度。

公开(公告)号：CN100397653C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200510104189.X

申请日：2005-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小田真弘 ,  伊泽慎一郎

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/1485 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明提供一种在抑制暗电流和耗电增大的同时，可抑制电子传送效率降低的固体摄像装置。该固体摄像装置具备电荷存储区域，其包含：距半导体基板的主表面具有第1深度的第1导电型第1杂质区域；具有比第1深度还大的第2深度的同时，还具有比第1杂质区域的杂质浓度还低的杂质浓度的第1导电型的第2杂质区域；和具有比第1深度还大、且比第2深度还小的第3深度的第1导电型的第3杂质区域。

公开(公告)号：CN1667832A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510054141.2

申请日：2005-03-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 清水龙 ,  笹田一弘 ,  小田真弘

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/1485 ,  H04N5/335 ,  H04N5/372

Abstract: 固体摄像装置，具备：进行光电变换的光电变换部；对由光电变换部产生的信号电荷进行转送的转送部。转送部包含：由多晶硅等构成的转送电极；覆盖于转送电极的底面、上面和两侧面，且由比介电率比氧化硅高的氮化硅膜等材料构成的覆盖绝缘膜。覆盖转送电极的两侧面的氮化硅膜的膜厚，大于0nm，小于60nm。

公开(公告)号：CN1469441A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03141280.7

申请日：2003-06-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  泉诚 ,  笹田一弘 ,  小田真弘 ,  壇徹

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/76235 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明提供了可提高栅绝缘膜的可靠性的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法是具有利用热处理在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序的方法，该形成栅绝缘膜的工序包括在含氧化性气体的氛围气中，以能使栅绝缘膜产生粘性流动的温度以上的温度进行热处理，在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序。