公开(公告)号：CN100459156C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410031622.7

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 武田安弘 ,  中野勇男 ,  金田和博 ,  小田真弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种提高动作速度的同时能抑制临界电压的变动的半导体装置。该半导体装置中，将氟导入到跨越第一导电型半导体区域和第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、栅极绝缘膜与沟道区域的至少中央区域的以及栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。

公开(公告)号：CN1534797A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031622.7

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 武田安弘 ,  中野勇男 ,  金田和博 ,  小田真弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种提高动作速度的同时能抑制临界电压的变动的半导体装置。该半导体装置中，将氟导入到跨越第一导电型半导体区域和第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、栅极绝缘膜与沟道区域的至少中央区域的以及栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。