公开(公告)号：CN116462637A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202211605758.9

申请日：2022-12-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔世荣 ,  金龙国 ,  沈秀姸 ,  黄慈英 ,  金廷熙 ,  赵娟振

IPC: C07D249/18 ,  C07D249/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了一种式1的重氮类化合物或其盐、包含所述化合物的化学机械抛光浆料组合物和使用所述化学机械抛光浆料组合物的抛光方法。

公开(公告)号：CN111836873B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201980018129.6

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尚兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物与使用其进行的半导体元件的蚀刻方法。所述蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN113150694A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110087744.1

申请日：2021-01-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元中 ,  具仑永 ,  朴泰远 ,  李义郞 ,  李种元 ,  赵娟振

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和一种使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光浆料组合物包含：选自极性溶剂和非极性溶剂当中的至少一种；磨料剂；以及氧化剂，其中磨料剂包含用含有三个氮原子的氨基硅烷改性的二氧化硅。

公开(公告)号：CN111836873A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980018129.6

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尚兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种氮化硅膜蚀刻组成物。所述氮化硅膜蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述氮化硅膜蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN115895661A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210954854.8

申请日：2022-08-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李智惠 ,  尹志贤 ,  李圭原 ,  赵娟振 ,  文炯朗 ,  黄基煜 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。该组合物包含无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、该聚合物的反应产物或它们的组合。

公开(公告)号：CN112384596B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201980046316.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  高尙兰 ,  金高恩

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及用于蚀刻半导体装置的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物或所述式2化合物的反应产物。式1或式2的R1、R2、R3、R6、R9至R12的定义与在本说明书中所述的定义相同。所述用于氮化硅层的蚀刻组成物可显著改善氮化硅层相对于氧化硅层的蚀刻选择性以及可防止在蚀刻期间和/或蚀刻之后使氧化硅层的厚度增加或使硅烷化合物通过自发反应沉淀。

公开(公告)号：CN114350263A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111152096.X

申请日：2021-09-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元中 ,  具仑永 ,  金亨默 ,  朴泰远 ,  李义郞 ,  李锺元 ,  赵娟振

IPC: C09G1/02 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅，且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度，同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。

公开(公告)号：CN110437837B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201910360034.4

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  赵娟振 ,  黄基煜 ,  高尚兰

IPC: C09K13/06

Abstract: 一种用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法。蚀刻组合物包括：磷酸化合物；取代或未取代的C7至C8环烃；和水。该蚀刻组合物对氮化硅层具有高选择性，并且可以抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN112384596A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980046316.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  高尙兰 ,  金高恩

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及使用其用于蚀刻氮化硅膜的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物和/或所述式2化合物的反应产物。

公开(公告)号：CN112166167A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201980034252.7

申请日：2019-04-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尙兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  张俊英 ,  尹龙云

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。