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公开(公告)号：CN111199278B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201911086263.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/067
Abstract: 提供了包括算术电路的存储器器件和包括该器件的神经网络系统。所述存储器器件包括：存储体，包括被排列在存储器器件的多个字线和多个位线彼此交叉的区域中的多个存储单元；读出放大器，被配置为放大通过多个位线当中的所选位线而发送的信号；以及算术电路，被配置为从读出放大器接收第一操作数，从存储器器件外部接收第二操作数，并且基于在存储器器件中生成的内部算术控制信号，通过使用第一操作数和第二操作数来执行算术运算。
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公开(公告)号：CN107527637B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201710397863.0
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置。该存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、位线感测放大器和开关电路。第一存储器单元连接到第一字线和第一位线。第二存储器单元连接到第一字线和第二位线。第三存储器单元连接到第一字线和第三位线。位线感测放大器连接到第三位线。开关电路连接到第一位线、第二位线和位线感测放大器。开关电路执行第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享以产生第一参考电压，并且执行第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享以产生第二参考电压。
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公开(公告)号：CN110310993A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910216931.8
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H01L27/115
Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
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公开(公告)号：CN110190050A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910072644.4
申请日：2019-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/538 , H01L23/49
Abstract: 提供了一种半导体封装。半导体封装包括：存储器子封装，包括第一连接层以及设置在第一连接层上的多个存储器芯片；逻辑子封装，包括第二连接层、设置在第二连接层上的控制器芯片、以及连接到所述控制器芯片和多个存储器芯片的缓冲器芯片；以及多个封装间连接构件，每个封装间连接构件连接存储器子封装和所述逻辑子封装，其中，缓冲器芯片经由每个具有第一数据传输速率的多个第一数据传输线连接到多个存储器芯片，缓冲器芯片经由每个具有第二数据传输速率的多个第二数据传输线连接到控制器芯片，并且第一数据传输速率小于第二数据传输速率。半导体封装具有高存储器带宽和信号完整性。
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公开(公告)号：CN103854699A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310606617.3
申请日：2013-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1045 , G11C7/109 , G11C7/222 , G11C8/12 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种非易失性存储器及其操作方法以及计算装置。所述非易失性存储器包括多个存储体、逻辑控制器和多个读写（RW）电路。每一个存储体包括多个存储器单元。逻辑控制器包括分别对应于所述多个存储体的多个存储单元，且被构造为基于存储在各个存储单元中的模式信息来将写使能信号和读使能信号输出给各个存储体。RW电路分别与存储体连接，且被构造为响应于各个存储体的写使能信号和读使能信号来独立地启用或禁用个存储体的写操作和读操作。在模式信息被存储在各个存储单元之后的初始状态中，无论在相应的存储单元中存储的模式信息如何，逻辑控制器都激活各个存储体的写使能信号和读使能信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426461A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN110310993B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910216931.8
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H10B69/00
Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
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公开(公告)号：CN116126589A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211411089.1
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器系统及其操作方法。所述存储器系统包括第一非易失性存储器装置；第二非易失性存储器装置；至少一个易失性存储器装置，被配置为：存储用户数据或映射表；以及存储器控制器，被配置为：当发生突然断电时，将用户数据从所述至少一个易失性存储器装置数据转储到第一非易失性存储器装置。第一非易失性存储器装置具有比第二非易失性存储器装置快的数据写入速度，并且具有比第二非易失性存储器装置小的容量。
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公开(公告)号：CN112242158A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010636192.0
申请日：2020-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁结存储装置。所述磁结存储装置包括读出电路，其包括读出节点，所述读出节点连接到晶体管的第一端部并且被配置为根据磁结存储器单元的电阻改变所述读出节点的电压；选通电压生成器电路，其被配置为使用参考电阻器和参考电压来生成所述晶体管的选通电压；以及读取电路，其被配置为使用所述参考电压和所述读出节点的电压来从所述磁结存储器单元读取数据。
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