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公开(公告)号：CN100336201C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200310116438.8
申请日：2003-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792 , Y10S977/723 , Y10S977/774
Abstract: 本发明公开了一种制造带有纳米点的存储器的方法。该方法包括步骤：在一其中制有源极和漏极电极的衬底上依次淀积一第一绝缘层、一电荷储积层、一牺牲层以及一金属层；通过对金属层执行阳极氧化，在所制得的结构上形成多个孔洞，并对经这些孔洞而外露的牺牲层执行氧化；通过去除掉已被氧化的金属层，并以氧化物牺牲层作为掩模对牺牲层和电荷储积层执行蚀刻，从而将电荷储积层构图成带有纳米点；以及去除氧化后的牺牲层，在被构图后的电荷储积层上淀积一第二绝缘层和一栅极电极，并将第一绝缘层、电荷储积层、第二绝缘层以及栅极电极构图设计成预定的形状。因而，可以制出具有均匀分布的纳米级存储结的存储器。
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公开(公告)号：CN1953230A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142422.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻－变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
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公开(公告)号：CN102738237B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
Abstract: 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
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公开(公告)号：CN102479804B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110389294.8
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。
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公开(公告)号：CN101751989B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102060292B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010541911.7
申请日：2010-11-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0206 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10T156/1041
Abstract: 示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括：在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层；去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。
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公开(公告)号：CN101964440B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010194822.X
申请日：2010-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03B15/006 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种振荡器及其操作方法。该振荡器利用磁畴壁的磁矩的进动来产生信号。振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。非磁性分隔层插置在自由层和固定层之间。
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公开(公告)号：CN101635166B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200910140009.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 一种使用磁畴壁移动的信息存储装置以及操作该装置的方法，所述信息存储装置包括：存储节点；写入单元，被配置以将信息写入到存储节点的第一磁畴区域；读取单元，被配置以从存储节点的第二磁畴区域读取信息。所述信息存储装置还包括：临时存储单元，被配置以临时存储由读取单元读取的信息；写入控制单元，电连接到临时存储单元，被配置以控制供应到写入单元的电流。从第二磁畴区域读取的信息被存储在临时存储单元中并被写入到第一磁畴区域。
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公开(公告)号：CN101770803A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910263619.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , Y10T29/49069
Abstract: 本发明公开了一种磁结构、信息存储装置及其制造方法和操作方法。磁结构包括第一部分和多个第二部分。第一部分沿第一方向延伸。多个第二部从第一部分的端部开始沿第二方向延伸。第一方向和第二方向彼此垂直。在所述磁结构中形成有沿彼此相反的方向磁化的两个磁畴以及于位于磁畴之间的磁畴壁。
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公开(公告)号：CN101751989A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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