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公开(公告)号：CN1222832C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03131171.7
申请日：2003-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3175 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明公开了一种使用图案化发射体的电子光刻设备。该电子光刻设备包括将图案化金属薄层用作掩模来发射电子的热电发射体。当发射体受热时，电子自发射体的覆盖有图案化介电层的部分发射出，而不从发射体的覆盖有图案化金属薄层的部分发射出来，从而将发射体的图案投影到衬底上。为了防止所发射的电子束发散，电子束通过磁体、DC磁场发生器或偏转器来控制。因此，可以容易地在衬底上获得所需图案的一比一或x比一的投影。
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公开(公告)号：CN100456418C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410036842.9
申请日：2004-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82B3/00 , B29C59/022 , B29C59/026 , B29C2059/023 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/32139
Abstract: 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一氧化铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一氧化铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一氧化铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二氧化铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。
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公开(公告)号：CN100336201C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200310116438.8
申请日：2003-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792 , Y10S977/723 , Y10S977/774
Abstract: 本发明公开了一种制造带有纳米点的存储器的方法。该方法包括步骤：在一其中制有源极和漏极电极的衬底上依次淀积一第一绝缘层、一电荷储积层、一牺牲层以及一金属层；通过对金属层执行阳极氧化，在所制得的结构上形成多个孔洞，并对经这些孔洞而外露的牺牲层执行氧化；通过去除掉已被氧化的金属层，并以氧化物牺牲层作为掩模对牺牲层和电荷储积层执行蚀刻，从而将电荷储积层构图成带有纳米点；以及去除氧化后的牺牲层，在被构图后的电荷储积层上淀积一第二绝缘层和一栅极电极，并将第一绝缘层、电荷储积层、第二绝缘层以及栅极电极构图设计成预定的形状。因而，可以制出具有均匀分布的纳米级存储结的存储器。
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公开(公告)号：CN1941124A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610114810.5
申请日：2003-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/24035 , G11B7/241 , Y10T428/21
Abstract: 提供具有相变材料膜的光记录介质和制备光记录介质的方法。在该方法中，首先在基材上顺序堆叠相变材料膜、牺牲膜和金属膜。然后，将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲薄膜部分阳极化形成氧化膜，然后，通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案。然后，自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜上沉积上绝缘膜、反射膜和保护膜。该光记录介质通过所用自对准方法简单制造，并可具有高集成大容量记忆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1469200A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03131171.7
申请日：2003-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01J37/3175 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明公开了一种使用图案化发射体的电子光刻设备。该电子光刻设备包括将图案化金属薄层用作掩模来发射电子的热电发射体。当发射体受热时，电子自发射体的覆盖有图案化介电层的部分发射出，而不从发射体的覆盖有图案化金属薄层的部分发射出来，从而将发射体的图案投影到衬底上。为了防止所发射的电子束发散，电子束通过磁体、DC磁场发生器或偏转器来控制。因此，可以容易地在衬底上获得所需图案的一比一或x比一的投影。
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公开(公告)号：CN100483522C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN03141188.6
申请日：2003-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/24035 , G11B7/241 , Y10T428/21
Abstract: 提供具有相变材料膜的光记录介质和制备光记录介质的方法。在该方法中，首先在基材上顺序堆叠相变材料膜、牺牲膜和金属膜。然后，将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲薄膜部分阳极化形成氧化膜，然后，通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案。然后，自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜上沉积上绝缘膜、反射膜和保护膜。该光记录介质通过所用自对准方法简单制造，并可具有高集成大容量记忆。
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公开(公告)号：CN1540714A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410036842.9
申请日：2004-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82B3/00 , B29C59/022 , B29C59/026 , B29C2059/023 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/32139
Abstract: 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。
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公开(公告)号：CN1510740A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310116438.8
申请日：2003-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792 , Y10S977/723 , Y10S977/774
Abstract: 本发明公开了一种制造带有纳米点的存储器的方法。该方法包括步骤：在一其中制有源极和漏极电极的衬底上依次淀积一第一绝缘层、一电荷储积层、一牺牲层以及一金属层；通过对金属层执行阳极氧化，在所制得的结构上形成多个孔洞，并对经这些孔洞而外露的牺牲层执行氧化；通过去除掉已被氧化的金属层，并以氧化物牺牲层作为掩模对牺牲层和电荷储积层执行蚀刻，从而将电荷储积层构图成带有纳米点；以及去除氧化后的牺牲层，在被构图后的电荷储积层上淀积一第二绝缘层和一栅极电极，并将第一绝缘层、电荷储积层、第二绝缘层以及栅极电极构图设计成预定的形状。因而，可以制出具有均匀分布的纳米级存储结的存储器。
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公开(公告)号：CN1501377A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03141188.6
申请日：2003-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/24035 , G11B7/241 , Y10T428/21
Abstract: 提供具有相变材料膜的光记录介质和制备光记录介质的方法。在该方法中，首先在基材上顺序堆叠相变材料膜、牺牲膜和金属膜。然后，将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲薄膜部分阳极化形成氧化膜，然后，通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案。然后，自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜上沉积上绝缘膜、反射膜和保护膜。该光记录介质通过所用自对准方法简单制造，并可具有高集成大容量记忆。
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