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公开(公告)号：CN101207136A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710199197.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/14
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C16/0483 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11568 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方，多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置。多个上电荷存储层置于半导体层和上控制栅电极之间。多个下电荷存储层置于半导体层和下控制栅电极之间。
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公开(公告)号：CN1717138A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081405.3
申请日：2005-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5281 , G02B3/0018 , G02B3/0068 , H01J11/10 , H01J11/44 , H01J29/896 , H01J2211/444 , H01L51/5268 , H01L51/5271 , H01L51/5275
Abstract: 本发明提供了涉及将外部光朝光吸收区聚焦以增强显示器亮度和对比度的显示器微结构的装置和方法。显示器包括被设置在光发射层一侧的光吸收层。光吸收层包括光折射结构和光吸收元件，其中每个光吸收元件被设置在光折射结构内。光引导结构基本上朝多个光吸收元件中被设置在其中的一个引导入射光以减小外部光的反射。
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公开(公告)号：CN118501852A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410041688.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: G01S7/481 , G01S7/4863 , G01S17/10 , H04N25/703 , H04N25/62 , H04N23/55 , H04N23/54 , H04N23/56
Abstract: 提供了用于距离测量的图像传感器和包括图像传感器的相机模块。所述图像传感器包括：像素阵列，包括多个单元像素；控制电路，被配置为分别将多个光电门信号提供给所述多个单元像素；以及读出电路，被配置为逐帧地从像素阵列读出像素信号，其中，控制电路生成所述多个光电门信号，使得脉冲宽度在一个帧区段内被改变。
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公开(公告)号：CN118053885A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311283221.X
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器和制造图像传感器的方法。一种图像传感器包括：衬底；垂直栅极，所述垂直栅极包括从所述衬底的顶部垂直延伸到所述衬底中的垂直延伸部和自所述垂直延伸部的顶部与所述衬底的顶表面平行地延伸的所述水平延伸部；光电二极管(PD)，所述PD在所述衬底内侧设置在所述垂直栅极之下；间隔物，所述间隔物设置在所述水平延伸部与所述衬底之间；以及栅极绝缘层。所述垂直延伸部的底表面和侧表面以及所述水平延伸部的底表面被所述栅极绝缘层覆盖，并且所述间隔物设置在所述衬底与所述水平延伸部的所述栅极绝缘层之间。
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公开(公告)号：CN110970452B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910710726.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/702 , H04N25/705
Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116632018A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310067292.X
申请日：2023-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。图像传感器包括：光电转换区，在半导体衬底中；光电荷收集区，设置在光电转换区中；浮动扩散区，在半导体衬底中，沿竖直方向与光电荷收集区间隔开；电荷倍增区，在光电荷收集区与浮动扩散区之间；以及竖直栅电极，延伸到半导体衬底中并在沿竖直方向观察时与光电荷收集区重叠。竖直栅电极的侧表面与浮动扩散区和电荷倍增区相邻。
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公开(公告)号：CN110739320A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910191275.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种基于飞行时间(ToF)的三维(3D)图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备。该基于飞行时间的三维图像传感器包括：至少两个第一光栅极，对称地布置在像素的中心部分中；至少两个第一栅极，被配置为去除在所述至少两个第一光栅极中产生的溢出电荷；以及第一栅极组。所述至少两个第一栅极对称地布置在像素的外部部分中。第一栅极组包括被配置为存储和传输在所述至少两个第一光栅极中产生的电荷的多个栅极。第一栅极组被布置在像素的外部部分中。
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公开(公告)号：CN103716557B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201310464857.4
申请日：2013-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器和一种包括该图像传感器的图像处理系统。图像传感器包括：像素阵列，包括多个单位像素，每个单位像素包括单个晶体管和与单个晶体管的本体连接的光电二极管；行驱动器块，被构造成使像素阵列中的多个行中的一个行能够进入读出模式；以及读出块，被构造成感测并放大进入读出模式的行中包括的多个单位像素中的每个单位像素输出的像素信号。
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公开(公告)号：CN101447502B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810212778.3
申请日：2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/02 , G11C5/025 , H01L27/2409 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种可以具有堆叠结构并可以以增大的密度容易地集成的非易失性存储装置以及制造该非易失性存储装置和使用该非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一对第一电极线。至少一条第二电极线可以在所述至少一对第一电极线之间。至少一个数据存储层可以在所述至少一对第一电极线和所述至少一条第二电极线之间，并可以局部地存储电阻变化。
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公开(公告)号：CN101545771B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910129834.1
申请日：2009-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01C3/08
CPC classification number: G01C3/08 , G01S7/4863 , G01S17/89
Abstract: 本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括：光电转换区；第一电荷存储区和第二电荷存储区；第一沟槽和第二沟槽；和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。
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