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公开(公告)号:CN109994446A
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201811390527.4
申请日:2018-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种具有金属凸块的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括位于半导体基底上的金属线层以及位于金属线层上的金属端子。金属线层包括金属线和钝化层,钝化层具有非平坦的顶表面,非平坦的顶表面包括位于金属线上的平坦表面和位于金属线之间的凹表面。金属端子设置在钝化层上。金属端子的彼此面对的相对的侧表面设置在钝化层的平坦表面上。
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公开(公告)号:CN109686679A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811080326.4
申请日:2018-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造半导体封装的方法包括:作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片,管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性;在电路基板的对应的芯片安装区域上封装单独芯片,并且基于芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装,单独封装的每个具有对应于测试分级项目的测试分级项目信息;基于测试分级项目信息根据测试分级项目对所述多个单独封装分类;以及测试根据测试分级项目分类的单独封装。
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公开(公告)号:CN106684063A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201610972127.9
申请日:2016-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/58
CPC classification number: H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2224/0233 , H01L2224/0235 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/32225 , H01L2224/45147 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L24/06 , H01L23/585 , H01L24/09 , H01L24/17 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/09103
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括:半导体芯片主体,其包括顶表面上的第一芯片焊盘;钝化膜,其布置在半导体芯片主体上;以及第一再分布层,其布置在钝化膜与半导体芯片主体之间,利用开口暴露出至少部分地与第一芯片焊盘重叠的第一芯片中心焊盘区、连接至第一芯片中心焊盘区的第一再分布中心焊盘区以及通过钝化膜与第一再分布中心焊盘区间隔开的第一边缘焊盘区,其中,第一芯片中心焊盘区的顶表面和第一再分布中心焊盘区的顶表面不布置在相同平面上。
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公开(公告)号:CN106549001A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610675009.1
申请日:2016-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/50 , H01L24/02 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/02377 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06139 , H01L2224/06151 , H01L2224/06152 , H01L2224/06155 , H01L2224/06156 , H01L2224/06159 , H01L2224/0616 , H01L2224/06165 , H01L2224/06169 , H01L2224/06177 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16227 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/0613
Abstract: 公开了具有再分布焊盘的半导体装置。所述半导体装置包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个再分布焊盘包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一再分布焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的至少一个第二再分布焊盘。第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行,所述至少一个第二再分布焊盘设置在所述至少两行第一再分布焊盘之间。
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公开(公告)号:CN106298731A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610451074.6
申请日:2016-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/488
Abstract: 公开了一种电路板和具有该电路板的半导体封装件。电路板可以包括其上安装有至少一个半导体芯片的顶表面和结合有至少一个外部端子的底表面。顶表面可以包括其上设置有电连接到半导体芯片的多个键合焊盘的上窗口区域,底表面可以包括其上设置有电连接到上导电图案的下导电图案的下窗口区域。在此,下导电图案的面积和多个键合焊盘的面积的比率可以小于或等于1.5。
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公开(公告)号:CN114664787A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202111152196.2
申请日:2021-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525
Abstract: 公开了一种半导体封装件,其包括:半导体芯片,所述半导体芯片包括位于所述半导体芯片的一个表面上的芯片焊盘;再分布图案,所述再分布图案位于所述半导体芯片的所述一个表面上并且电连接至所述芯片焊盘;以及光敏介电层,所述光敏介电层位于所述半导体芯片与所述再分布图案之间。所述光敏介电层可以与所述再分布图案物理接触。所述再分布图案包括信号再分布图案、接地再分布图案和电力再分布图案。所述芯片焊盘与所述信号再分布图案之间的垂直距离可以大于所述信号再分布图案的宽度。
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