具有金属凸块的半导体装置和制造该半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN109994446A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201811390527.4

    申请日:2018-11-21

    Abstract: 提供了一种具有金属凸块的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括位于半导体基底上的金属线层以及位于金属线层上的金属端子。金属线层包括金属线和钝化层,钝化层具有非平坦的顶表面,非平坦的顶表面包括位于金属线上的平坦表面和位于金属线之间的凹表面。金属端子设置在钝化层上。金属端子的彼此面对的相对的侧表面设置在钝化层的平坦表面上。

    制造半导体封装的方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109686679A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811080326.4

    申请日:2018-09-17

    Abstract: 一种制造半导体封装的方法包括:作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片,管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性;在电路基板的对应的芯片安装区域上封装单独芯片,并且基于芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装,单独封装的每个具有对应于测试分级项目的测试分级项目信息;基于测试分级项目信息根据测试分级项目对所述多个单独封装分类;以及测试根据测试分级项目分类的单独封装。

    电路板和包括该电路板的半导体封装件

    公开(公告)号:CN106298731A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610451074.6

    申请日:2016-06-21

    Abstract: 公开了一种电路板和具有该电路板的半导体封装件。电路板可以包括其上安装有至少一个半导体芯片的顶表面和结合有至少一个外部端子的底表面。顶表面可以包括其上设置有电连接到半导体芯片的多个键合焊盘的上窗口区域,底表面可以包括其上设置有电连接到上导电图案的下导电图案的下窗口区域。在此,下导电图案的面积和多个键合焊盘的面积的比率可以小于或等于1.5。

    半导体封装件
    17.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114664787A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202111152196.2

    申请日:2021-09-29

    Inventor: 金原永 姜善远

    Abstract: 公开了一种半导体封装件,其包括:半导体芯片,所述半导体芯片包括位于所述半导体芯片的一个表面上的芯片焊盘;再分布图案,所述再分布图案位于所述半导体芯片的所述一个表面上并且电连接至所述芯片焊盘;以及光敏介电层,所述光敏介电层位于所述半导体芯片与所述再分布图案之间。所述光敏介电层可以与所述再分布图案物理接触。所述再分布图案包括信号再分布图案、接地再分布图案和电力再分布图案。所述芯片焊盘与所述信号再分布图案之间的垂直距离可以大于所述信号再分布图案的宽度。

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