公开(公告)号：CN109686679A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811080326.4

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安镇灿 ,  金原永 ,  黄敬善

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50

Abstract: 一种制造半导体封装的方法包括：作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片，管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性；在电路基板的对应的芯片安装区域上封装单独芯片，并且基于芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装，单独封装的每个具有对应于测试分级项目的测试分级项目信息；基于测试分级项目信息根据测试分级项目对所述多个单独封装分类；以及测试根据测试分级项目分类的单独封装。

公开(公告)号：CN109686679B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811080326.4

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安镇灿 ,  金原永 ,  黄敬善

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50

Abstract: 一种制造半导体封装的方法包括：作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片，管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性；在电路基板的对应的芯片安装区域上封装单独芯片，并且基于芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装，单独封装的每个具有对应于测试分级项目的测试分级项目信息；基于测试分级项目信息根据测试分级项目对所述多个单独封装分类；以及测试根据测试分级项目分类的单独封装。