公开(公告)号：CN109994446A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811390527.4

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安镇燦 ,  金原永 ,  李燦浩

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种具有金属凸块的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括位于半导体基底上的金属线层以及位于金属线层上的金属端子。金属线层包括金属线和钝化层，钝化层具有非平坦的顶表面，非平坦的顶表面包括位于金属线上的平坦表面和位于金属线之间的凹表面。金属端子设置在钝化层上。金属端子的彼此面对的相对的侧表面设置在钝化层的平坦表面上。

公开(公告)号：CN109994446B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201811390527.4

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安镇燦 ,  金原永 ,  李燦浩

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60