公开(公告)号：CN1525573A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410006630.6

申请日：2004-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊永 ,  崔秉龙 ,  李银京

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  H04B10/02 ,  G11B7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1446

Abstract: 公开了一种光接收装置及其制造方法，和包括该光接收装置的光电集成电路。该光接收装置包括：衬底；形成在衬底上的本征区；形成至本征区中较浅深度的第一区；和形成至本征区中较深深度且与第一区隔开的第二区，其中第一和第二区被掺杂有不同导电类型。该光接收装置可缩短具有低迁移率的空穴的渡越时间。因此，不会出现响应延迟，于是，可以实现高响应速度。

公开(公告)号：CN1512597A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN03148920.6

申请日：2003-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊永 ,  崔秉龙 ,  李银京

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/14 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/107

Abstract: 提供一种波长选择性光电检测器。该光电检测器，包括：透明上电极，包括电容器；第一半导体层，位于上电极之下；光吸收层，位于第一半导体层之下，用于吸收光以产生电子空穴对；放大层，位于光吸收层之下，用于产生二次电子；第二半导体层，位于放大层之下；以及下电极，位于第二半导体层之下，并且包括与外部电阻并联的电感。该光电检测器可以改善S/N比，并且仅滤过具有特定波长频带的光。

公开(公告)号：CN100435356C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN02120168.4

申请日：2002-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  南升浩 ,  李银京 ,  刘在镐 ,  金俊永

IPC: H01L31/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明提供一种硅光电器件和利用此硅光电器件的发光设备。此硅光电器件包括：基于n-型或p-型硅的衬底；在衬底的一个表面上形成并用预定掺杂剂掺杂到超浅深度的掺杂区，上述预定掺杂剂为与衬底相反的类型，以便在掺杂区和衬底之间的p-n结通过量子约束提供光电转换效应；在衬底上形成并将与掺杂区电连接的第一和第二电极。此硅光电器件进一步包括在衬底的一个表面上形成的控制层，以便用作形成掺杂区中的掩模并且用于限制超浅的掺杂区的深度。硅光电器件具有优异性能并可以用作发光器件或光接收器件。由于光电器件采用硅作为基础原料，它可以以低成本制造。

公开(公告)号：CN100346486C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410007426.6

申请日：2004-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银京 ,  崔秉龙 ,  安弼洙 ,  金俊永 ,  陈暎究

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G01Q80/00 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种制造硅光电器件的方法、由该方法制造的硅光电器件以及包含该硅光电器件的图像输入和/或输出设备。该方法包括准备n或p型硅基衬底，通过蚀刻沿衬底表面形成微缺陷图形，在微缺陷图形上形成具有开口的控制薄膜，以及在具有微缺陷图形的衬底表面上以如下方式形成掺杂区域，通过控制薄膜的开口将与衬底相反类型的预定杂质注入到衬底中并掺杂到一定深度，以便通过p-n结中的量子限制效应产生引起光发射和/或接收的光电转换效应。该硅光电器件具有优越的发光效率，至少可以作为光发射器件和光接收器件之一使用，并且具有高的波长选择性。

公开(公告)号：CN1312773C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200310124891.3

申请日：2003-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊永 ,  崔秉龙 ,  李银京

IPC: H01L27/00 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H04B10/02

CPC classification number: H01L31/125 ,  H01L31/173

Abstract: 一种硅光电器件和使用该器件的图像输入/输出装置。该器件包含有一个或多级晶体管的光电器件部分和在该光电器件部分的一个侧面上形成并公用衬底的开关部分，该开关部分用于在光电器件部分中选择性地产生光的发射和接收。光电器件部分包含：与n-型或p-型衬底相反类型的超浅掺杂区，其中由于量子抑制效应在掺杂区和衬底之间的p-n结处产生光的发射和接收；及在衬底的背面上形成的一或多个半导体材料区，至少一部分半导体材料区与掺杂区形成叠置结构。具有用于执行开关切换和/或放大功能的内置电路的硅光电器件能够选择性地产生光的发射和接收而不必使用任何一种外围放大电路和开关电路、易于控制发光和光接收的持续时间、并可连续制造。

公开(公告)号：CN1604315A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410057912.9

申请日：2004-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊永 ,  崔秉龙 ,  李银京

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/823878 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体接触结构，包括：一衬底；具有与衬底相反极性的一导电掺杂层，该导电掺杂层形成在衬底中；形成在导电掺杂层上的一导电层；以及形成在衬底中导电掺杂层下方的一绝缘掺杂层。

公开(公告)号：CN1516278A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124891.3

申请日：2003-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊永 ,  崔秉龙 ,  李银京

IPC: H01L27/00 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H04B10/02

CPC classification number: H01L31/125 ,  H01L31/173

Abstract: 一种硅光电器件和使用该器件的图像输入/输出装置。该器件包含有一个或多级晶体管的光电器件部分和在该光电器件部分的一个侧面上形成并公用衬底的开关部分，该开关部分用于在光电器件部分中选择性地产生光的发射和接收。光电器件部分包含：与n－型或p－型衬底相反类型的超浅掺杂区，其中由于量子抑制效应在掺杂区和衬底之间的p－n结处产生光的发射和接收；及在衬底的背面上形成的一或多个半导体材料区，至少一部分半导体材料区与掺杂区形成叠置结构。具有用于执行开关切换和/或放大功能的内置电路的硅光电器件能够选择性地产生光的发射和接收而不必使用任何一种外围放大电路和开关电路、易于控制发光和光接收的持续时间、并可连续制造。