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公开(公告)号：CN1195035A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：CN97123088.9
申请日：1997-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J37/32357 , H01J37/3266
Abstract: 一种薄膜沉积装置包括:电弧蒸发部分,在该部分通过阴极弧光放电而产生一沉积材料的带电粒子;等离子体导管,该导管具有一个弯度且能把所述带电粒子从所述电弧蒸发部分导向一个基底;和励磁器,该励磁器用于产生一磁场以引导带电粒子从电弧蒸发部分向基底传输,所述装置还包括安装在等离子体导管的弯度处的凸出部位的反射磁场源,用于产生磁场,其与励磁器产生的磁场相互作用,从而使磁力线沿等离子体导管分布。
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公开(公告)号：CN119856209A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380066704.6
申请日：2023-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G08B21/02 , G02B27/01 , H04N13/332 , H04N23/57 , H04N21/431 , G06T19/00 , G06V20/64 , G06V40/19 , G06T7/50 , G06T7/70
Abstract: 可穿戴装置可以包括相机、显示器和处理器。处理器可以被配置成基于用户的物理能力信息，从指示敏捷性的多个参考水平中识别对应于用户的敏捷性的一个参考水平。处理器可以被配置成从经由相机获取的且表达可穿戴装置周围的环境的图像中识别环境内的至少一个第一视觉对象。处理器可以被配置成确定至少一个第一视觉对象的风险水平。处理器可以被配置成从至少一个第一视觉对象中识别其风险水平已被确定为高于参考水平的至少一个第二视觉对象。处理器可以被配置成将至少一个第二视觉对象与针对至少一个第二视觉对象的视觉对象一起显示。
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公开(公告)号：CN1267566C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410034658.0
申请日：2004-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6837
Abstract: 本发明提供了一种具有多层薄膜结构的DNA芯片。所述DNA芯片包括：载体；高反射区，其具有比载体高的折射率，并包括依次堆积在载体的预定区域之上的具有相对低折射率的薄膜以及具有相对高折射率的薄膜；低反射区，具有比载体低的反射率，并包括具有相对低的折射率薄膜，其堆积在载体高反射区的周围；至少固定在高反射区的DNA探针。DNA探针和用荧光染料标记的靶DNA之间的杂交反应发生在高反射区。DNA芯片杂交信号的检测灵敏度的增加为杂交信号提供了正确检测。
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公开(公告)号：CN100435356C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN02120168.4
申请日：2002-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y10/00 , H01L31/0232 , H01L31/035281
Abstract: 本发明提供一种硅光电器件和利用此硅光电器件的发光设备。此硅光电器件包括：基于n-型或p-型硅的衬底；在衬底的一个表面上形成并用预定掺杂剂掺杂到超浅深度的掺杂区，上述预定掺杂剂为与衬底相反的类型，以便在掺杂区和衬底之间的p-n结通过量子约束提供光电转换效应；在衬底上形成并将与掺杂区电连接的第一和第二电极。此硅光电器件进一步包括在衬底的一个表面上形成的控制层，以便用作形成掺杂区中的掩模并且用于限制超浅的掺杂区的深度。硅光电器件具有优异性能并可以用作发光器件或光接收器件。由于光电器件采用硅作为基础原料，它可以以低成本制造。
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公开(公告)号：CN1147618C
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN97123088.9
申请日：1997-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J37/32357 , H01J37/3266
Abstract: 一种薄膜沉积装置包括：电弧蒸发部分，在该部分通过阴极弧光放电而产生一沉积材料的带电粒子；等离子体导管，该导管具有一个弯度且能把所述带电粒子从所述电弧蒸发部分导向一个基底；和励磁器，该励磁器用于产生一磁场以引导带电粒子从电弧蒸发部分向基底传输，所述装置还包括安装在等离子体导管的弯度处的凸出部位的反射磁场源，用于产生磁场，其与励磁器产生的磁场相互作用，从而使磁力线沿等离子体导管分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1202602A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN98108722.1
申请日：1998-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05B3/265 , H05B2203/013 , H05B2203/017
Abstract: 本发明提供一种能够微型化的、利用一种具有良好的电阻性能的材料增大瞬时加热效率的薄膜型加热器及其制造方法。该薄膜型加热器包括:一个基底;多个以一个预定图案涂覆于该基底上的单元加热层;一个用于将所述各单元加热层互连以形成一个电流路径的电极层;和一个涂覆于所述基底用于保护所述加热层和电极层的保护层。
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公开(公告)号：CN101174060A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710167915.1
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/13363 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B6/0038 , G02B6/0063
Abstract: 本发明公开一种双侧照明装置，其包括光源、各向同性光导板，该各向同性光导板包括：供从光源发射的光入射的入射平面、面对该入射平面的相对平面和通过其发射光的上表面和下表面。在各向同性光导板的上表面和下表面上分别形成有各向同性微型结构，在各向同性光导板的上表面和下表面上分别形成有第一和第二各向异性层，从而完全覆盖各向同性微型结构。这里，第一和第二各向异性层对于具有彼此垂直的第一和第二偏振分量的光来说具有不同的折射率。
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公开(公告)号：CN1431720A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02120168.4
申请日：2002-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y10/00 , H01L31/0232 , H01L31/035281
Abstract: 本发明提供一种硅光电器件和利用此硅光电器件的发光设备。此硅光电器件包括：基于n－型或p－型硅的衬底；在衬底的一个表面上形成并用预定掺杂剂掺杂到超浅深度的掺杂区，上述预定掺杂剂为与衬底相反的类型，以便在掺杂区和衬底之间的p－n结通过量子约束提供光电转换效应；在衬底上形成并将与掺杂区电连接的第一和第二电极。此硅光电器件进一步包括在衬底的一个表面上形成的控制层，以便用作形成掺杂区中的掩模并且用于限制超浅的掺杂区的深度。硅光电器件具有优异性能并可以用作发光器件或光接收器件。由于光电器件采用硅作为基础原料，它可以以低成本制造。
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公开(公告)号：CN101174060B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200710167915.1
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/13363 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B6/0038 , G02B6/0063
Abstract: 本发明公开一种双侧照明装置，其包括光源、各向同性光导板，该各向同性光导板包括：供从光源发射的光入射的入射平面、面对该入射平面的相对平面和通过其发射光的上表面和下表面。在各向同性光导板的上表面和下表面上分别形成有各向同性微型结构，在各向同性光导板的上表面和下表面上分别形成有第一和第二各向异性层，从而完全覆盖各向同性微型结构。这里，第一和第二各向异性层对于具有彼此垂直的第一和第二偏振分量的光来说具有不同的折射率。
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公开(公告)号：CN101173995A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710108111.4
申请日：2007-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/13357 , G02F1/13363 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B27/285 , G02B5/305 , G02B6/0053 , G02F1/133615 , G02F1/13362 , G02F2001/133607
Abstract: 偏振分离膜包括具有关于互相垂直的第一和第二偏振分量的光相同的折射率的各向同性层；在该各向同性层的上表面上形成，并且具有关于互相垂直的第一和第二偏振分量的光不同的折射率的各向异性层；在该各向同性层的下表面上形成，用以改变入射光的光学路径的第一微型图形；和在该各向同性层和各向异性层之间的界面上形成，用以全反射具有第一偏振分量的光和透射具有第二偏振分量的光的第二微型图形。
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