-
公开(公告)号:CN1147618C
公开(公告)日:2004-04-28
申请号:CN97123088.9
申请日:1997-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J37/32357 , H01J37/3266
Abstract: 一种薄膜沉积装置包括:电弧蒸发部分,在该部分通过阴极弧光放电而产生一沉积材料的带电粒子;等离子体导管,该导管具有一个弯度且能把所述带电粒子从所述电弧蒸发部分导向一个基底;和励磁器,该励磁器用于产生一磁场以引导带电粒子从电弧蒸发部分向基底传输,所述装置还包括安装在等离子体导管的弯度处的凸出部位的反射磁场源,用于产生磁场,其与励磁器产生的磁场相互作用,从而使磁力线沿等离子体导管分布。
-
公开(公告)号:CN1058826C
公开(公告)日:2000-11-22
申请号:CN93108378.8
申请日:1993-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/782
CPC classification number: H04N9/8042 , H04N5/78206 , H04N5/78266 , H04N5/783 , H04N5/93 , H04N9/8227
Abstract: 本发明为一种记录/重放方法,包括用多个旋转磁头对正常速度运行的磁带的第一区域进行螺旋扫描;在多条倾斜磁迹上记录数字数据串,并通过至少一个固定磁头,在磁带的第二区域同时记录N个画面的每一个间隔的一帧数据;正常重放期间重放记录在第一区域的数据,当磁带以N倍速度运行时,进行变速重放,重放记录在第二区域的数据。数字VTR的磁带的不同区域中分开记录正常记录/重放数据和特殊记录/重放数据,并对它们分开进行处理。
-
公开(公告)号:CN1195035A
公开(公告)日:1998-10-07
申请号:CN97123088.9
申请日:1997-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J37/32357 , H01J37/3266
Abstract: 一种薄膜沉积装置包括:电弧蒸发部分,在该部分通过阴极弧光放电而产生一沉积材料的带电粒子;等离子体导管,该导管具有一个弯度且能把所述带电粒子从所述电弧蒸发部分导向一个基底;和励磁器,该励磁器用于产生一磁场以引导带电粒子从电弧蒸发部分向基底传输,所述装置还包括安装在等离子体导管的弯度处的凸出部位的反射磁场源,用于产生磁场,其与励磁器产生的磁场相互作用,从而使磁力线沿等离子体导管分布。
-
公开(公告)号:CN1081528A
公开(公告)日:1994-02-02
申请号:CN93108378.8
申请日:1993-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/00
CPC classification number: H04N9/8042 , H04N5/78206 , H04N5/78266 , H04N5/783 , H04N5/93 , H04N9/8227
Abstract: 本发明为一种记录/重放方法,包括用多个旋转磁头对正常速度运行的磁带的第一区域进行螺旋扫描;在多条倾斜磁迹上记录数字数据串,并通过至少一个固定磁头,在磁带的第二区域同时记录N个画面的每一个间隔的一帧数据;正常重放期间重放记录在第一区域的数据,当磁带以N倍速度运行时,进行变速重放,重放记录在第二区域的数据。数字VTR的磁带的不同区域中分开记录正常记录/重放数据和特殊记录/重放数据,并对它们分开进行处理。
-
-
-