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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1241443C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02118470.4
申请日：2002-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/02 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明公开了一种制造气隙型薄膜整体声共振器(FBAR)的方法。该FBAR制造方法包括：(a)在半导体衬底上沉积并构图下电极；(b)在下电极上沉积并构图压电材料层；(c)在压电材料层上沉积并构图上电极；(d)形成穿过上电极、压电材料层和下电极的孔；以及(e)将氟化物注入到孔中，使得可以在半导体衬底上形成气隙，并且非等离子体蚀刻半导体衬底。因为FBAR制造方法在制造过程中不包括形成并去除牺牲层，所以制造工艺被简化。此外，不具有频率选择性的气隙可以形成，且FBAR的性能可以提高。
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公开(公告)号：CN1538163A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410034658.0
申请日：2004-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/17
CPC classification number: C12Q1/6837
Abstract: 本发明提供了一种具有多层薄膜结构的DNA芯片。所述DNA芯片包括：载体；高反射区，其具有比载体高的折射率，并包括依次堆积在载体的预定区域之上的具有相对低折射率的薄膜以及具有相对高折射率的薄膜；低反射区，具有比载体低的反射率，并包括具有相对低的折射率薄膜，其堆积在载体高反射区的周围；至少固定在高反射区的DNA探针。DNA探针和用荧光染料标记的靶DNA之间的杂交反应发生在高反射区。DNA芯片杂交信号的检测灵敏度的增加为杂交信号提供了正确检测。
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公开(公告)号：CN1202602A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN98108722.1
申请日：1998-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05B3/265 , H05B2203/013 , H05B2203/017
Abstract: 本发明提供一种能够微型化的、利用一种具有良好的电阻性能的材料增大瞬时加热效率的薄膜型加热器及其制造方法。该薄膜型加热器包括:一个基底;多个以一个预定图案涂覆于该基底上的单元加热层;一个用于将所述各单元加热层互连以形成一个电流路径的电极层;和一个涂覆于所述基底用于保护所述加热层和电极层的保护层。
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公开(公告)号：CN1267566C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410034658.0
申请日：2004-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6837
Abstract: 本发明提供了一种具有多层薄膜结构的DNA芯片。所述DNA芯片包括：载体；高反射区，其具有比载体高的折射率，并包括依次堆积在载体的预定区域之上的具有相对低折射率的薄膜以及具有相对高折射率的薄膜；低反射区，具有比载体低的反射率，并包括具有相对低的折射率薄膜，其堆积在载体高反射区的周围；至少固定在高反射区的DNA探针。DNA探针和用荧光染料标记的靶DNA之间的杂交反应发生在高反射区。DNA芯片杂交信号的检测灵敏度的增加为杂交信号提供了正确检测。
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公开(公告)号：CN1419387A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02118470.4
申请日：2002-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/02 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明公开了一种制造气隙型薄膜整体声共振器(FBAR)的方法。该FBAR制造方法包括：(a)在半导体衬底上沉积并构图下电极；(b)在下电极上沉积并构图压电材料层；(c)在压电材料层上沉积并构图上电极；(d)形成穿过上电极、压电材料层和下电极的孔；以及(e)将氟化物注入到孔中，使得可以在半导体衬底上形成气隙，并且非等离子体蚀刻半导体衬底。因为FBAR制造方法在制造过程中不包括形成并去除牺牲层，所以制造工艺被简化。此外，不具有频率选择性的气隙可以形成，且FBAR的性能可以提高。
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