公开(公告)号：CN110831311A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910112754.9

申请日：2019-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田炳焕

IPC: H05G2/00

Abstract: 极紫外(EUV)产生装置，包括：壳体模块，其包括：壳体，其内部维持真空状态；以及出射窗，其形成在壳体一侧；激光源，其通过出射窗向壳体的内部发射激光，等离子体产生模块，其位于壳体内部并通过允许朝向流入激光焦点区域的等离子气体发射激光来产生等离子体，以及射频(RF)电源模块，其在等离子气体流入激光焦点区域之前，对等离子气体预电离。

公开(公告)号：CN1992087B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200610080941.6

申请日：2006-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁仁秀 ,  朴钟必 ,  田炳焕 ,  俞皓善

IPC: G11C29/00 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明涉及器件测试装置和方法及其接口装置，所述器件测试装置包含：性能板，以用于安装被测器件，并输入/输出针对所述被测器件的信号；主机，以用于产生所述被测器件的测试波形；头部，以用于将基于所述测试波形的测试信号传送到所述性能板，并对应于所述测试信号接收从所述性能板传送的测试结果信号；安装在所述头部与所述性能板之间的接口部，以用于根据所述被测器件的工作速度改变所述测试信号及所述测试结果信号的传送速度。由此，可以以较低成本进行高速测试。

公开(公告)号：CN1995988A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001533.1

申请日：2007-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白东石 ,  徐济琓 ,  片希秀 ,  田炳焕 ,  崔龙镐

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/84

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N2021/9513 ,  G02B21/0016 ,  G02B21/02

Abstract: 本发明的检查设备以及检查方法提供了提高的清晰度。所述检查设备包括：平台，用于支撑将被检查的物件；光学显微镜，设置有接近所述平台和从所述平台退回的物镜，以检查物件；观察口透镜，介于所述物件和所述物镜之间，并且具有预定的曲率半径。

公开(公告)号：CN1074533C

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN96121866.5

申请日：1996-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田炳焕

IPC: G01B11/26

Abstract: 一种光学头物镜倾斜度测量装置，包括：光源；位于光源和物镜之间、对光源发出的光准直的准直仪；将来自准直仪的光会聚到物镜表面的聚光镜；接收由物镜反射后通过聚光镜的光的光接收元件；位于准直仪和聚光镜之间的光路上，将入射光一部分导向聚光镜而将其余部分光导向光接收元件的光路转换装置。通过检测光源发出的直接照射到光接收元件上的光的位置与经物镜反射后照射到光接收元件上的光的位置之间的差来测量物镜的倾斜度。

公开(公告)号：CN1184247A

公开(公告)日：1998-06-10

申请号：CN96121866.5

申请日：1996-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田炳焕

IPC: G01B11/27

Abstract: 一种光学头物镜倾斜度测量装置,包括:光源;位于光源和物镜之间、对光源发出的光准直的准直仪;将来自准直仪的光会聚到物镜表面的聚光镜;接收由物镜反射后通过聚光镜的光的光接收元件;位于准直仪和聚光镜之间的光路上,将入射光一部分导向聚光镜而将其余部分光导向光接收元件的光路转换装置。通过检测光源发出的直接照射到光接收元件上的光的位置与经物镜反射后照射到光接收元件上的光的位置之间的差来测量物镜的倾斜度。

公开(公告)号：CN110658690B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201910129017.X

申请日：2019-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田炳焕

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/84

Abstract: 提供了在高光效率下高速检查极紫外(EUV)掩模的方法和设备，以及一种制造EUV掩模的方法，其中，在制造EUV掩模的方法中包括检查EUV掩模的方法。用于检查EUV掩模的设备包括：光源，被配置为产生并输出光；线形波带板，被配置为将来自光源的光转换成第一线形光；狭缝板，被配置为通过从第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光；工作台，用于在其上定位EUV掩模；以及探测器，被配置为响应于第二线形光被照射到定位在工作台上的EUV掩模上并从EUV掩模反射来检测从EUV掩模反射的光。

公开(公告)号：CN110658690A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910129017.X

申请日：2019-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田炳焕

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/84

Abstract: 提供了在高光效率下高速检查极紫外(EUV)掩模的方法和设备，以及一种制造EUV掩模的方法，其中，在制造EUV掩模的方法中包括检查EUV掩模的方法。用于检查EUV掩模的设备包括：光源，被配置为产生并输出光；线形波带板，被配置为将来自光源的光转换成第一线形光；狭缝板，被配置为通过从第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光；工作台，用于在其上定位EUV掩模；以及探测器，被配置为响应于第二线形光被照射到定位在工作台上的EUV掩模上并从EUV掩模反射来检测从EUV掩模反射的光。

公开(公告)号：CN110579478A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910417361.9

申请日：2019-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洸秀 ,  朴永圭 ,  张城豪 ,  田炳焕

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/25 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 公开了一种执行检验和计量处理的设备和方法。所述设备可包括：工作台，其被被配置为在其上装载基板；传感器，其位于工作台上；物镜，其位于传感器和工作台之间；光源，其产生将通过物镜被发送到基板的照明光；第一带滤波部件，其位于光源和物镜之间，以将照明光的波长控制在第一带宽内；以及第二带滤波部件，其位于光源和物镜之间，以将照明光的波长控制在第二带宽内，第二带宽小于第一带宽。

公开(公告)号：CN109904121A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811463659.5

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田炳焕 ,  南象基

IPC: H01L21/8242 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成第一晶种图案；在所述第一晶种图案上形成第一纳米棒结构；以及形成围绕所述第一纳米棒结构的第一侧表面同时暴露所述第一纳米棒结构的第一上表面的模制结构。所述第一纳米棒结构可以包括顺序堆叠在所述第一晶种图案上的多个纳米棒。所述多个纳米棒可以包括从所述第一晶种图案生长的最下部的纳米棒和形成在所述最下部的纳米棒上的多个上部纳米棒。所述模制结构可以包括围绕所述最下部的纳米棒的第二侧表面的最下部的模制层和顺序堆叠在所述最下部的模制层上的多个上部模制层。所述多个上部模制层中的至少一个上部模制层由与另一上部模制层的材料不同的材料形成。

公开(公告)号：CN1992087A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610080941.6

申请日：2006-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁仁秀 ,  朴钟必 ,  田炳焕 ,  俞皓善

IPC: G11C29/00 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明涉及器件测试装置和方法及其接口装置，所述器件测试装置包含：性能板，以用于安装被测器件，并输入/输出针对所述被测器件的信号；主机，以用于产生所述被测器件的测试波形；头部，以用于将基于所述测试波形的测试信号传送到所述性能板，并对应于所述测试信号接收从所述性能板传送的测试结果信号；安装在所述头部与所述性能板之间的接口部，以用于根据所述被测器件的工作速度改变所述测试信号及所述测试结果信号的传送速度。由此，可以以较低成本进行高速测试。