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公开(公告)号：CN110875069A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910645716.X
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一导线，在第一方向上延伸；第二导线，在第二方向上延伸；以及多个存储器单元，均布置在第一导线与第二导线之间，并且均包括可变电阻存储器层和开关材料图案。开关材料图案包括：元素注入区域，布置在开关材料图案的外部区域中；以及内部区域，被元素注入区域覆盖。内部区域包含第一含量的来自砷(As)、硫(S)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一种元素，元素注入区域包含第二含量的来自As、S、Se和Te中的所述至少一种元素，并且第二含量具有所述至少一种元素的含量远离开关材料图案的至少一个表面而降低的分布曲线。
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公开(公告)号：CN107689419A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L23/528 , H01L27/224 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/142
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
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公开(公告)号：CN101226959A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810002982.2
申请日：2008-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L21/2652 , H01L27/10876 , H01L29/1041 , H01L29/42376
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置、动态随机存取存储器、以及半导体装置的形成方法。该半导体装置包括在具有第一类型杂质离子的半导体基底内所界定的有源区。相反区在所述有源区之内并且具有第二类型杂质离子。上沟道区在所述有源区内的相反区上并且具有第一类型杂质离子。源极区和漏极区在所述有源区内的上沟道区上并且相互间隔开。栅电极填充在所述有源区内形成的栅极沟槽。栅电极布置在所述源极区和漏极区之间并且通过所述上沟道区延伸进入所述相反区。
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公开(公告)号：CN117597016A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311052282.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689419B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
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公开(公告)号：CN107644934A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U)[N]U-------------------------------(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
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公开(公告)号：CN100578018C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200510070434.X
申请日：2005-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F04C29/06 , F04C23/00 , F04C18/356
CPC classification number: F04B39/0061
Abstract: 一种多气缸压缩机被设计具有良好的噪音和脉动减小效果并且也容易制造。多气缸压缩机包括彼此隔开的第一和第二压缩室以分别执行气体的压缩，被分别设置到第一和第二压缩室的释放开口的第一和第二消声器以及从第一和第二消声器延伸预定长度的第一和第二释放流动路径以在引导压缩气体的释放时减小噪音和脉动。
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公开(公告)号：CN100541804C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610126604.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/56
CPC classification number: H01L28/91 , G11C11/4091
Abstract: 提供了耦合电容器及使用其的半导体存储器件。在实施例中，半导体存储器件的每个存储单元包括耦合电容器，使得存储电容器能够存储至少2位数据。耦合电容器具有相对与存储电容器的电容有预设比率的电容。为此，通过与存储电容器基本上相同的制造方法来形成耦合电容器。通过选择合适数目的单个电容器来获得预设比率，每个具有与存储电容器相同的电容，以包括耦合电容器。同样，耦合电容器设置在层间绝缘层上，该层间绝缘层掩埋单元区中的位线和感应放大区中的感应放大器。
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公开(公告)号：CN100408861C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200510070435.4
申请日：2005-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F04C29/06 , F04C23/00 , F04C18/356
CPC classification number: F04C29/068 , F04C18/3564 , F04C23/001 , F04C23/008 , F04C29/061 , F04C29/065
Abstract: 一种多气缸压缩机被设计具有良好的噪音和脉动减小效果并且也容易制造。多气缸压缩机包括彼此隔开的第一和第二压缩室以分别执行气体的压缩，被分别设置到第一和第二压缩室的释放开口的第一和第二消声器，将第一消声器的内部与第二消声器的内部相连通的连通流动路径，以及至少一个释放流动路径，所述释放流动路径从第二消声器延伸预定的长度以在引导被压缩的气体的释放时减小噪音和脉动。
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