公开(公告)号：CN107689419B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201710654882.7

申请日：2017-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴哲 ,  朴正熙 ,  安东浩 ,  李镇宇 ,  申喜珠 ,  李兹傧

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。

公开(公告)号：CN107689419A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710654882.7

申请日：2017-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴哲 ,  朴正熙 ,  安东浩 ,  李镇宇 ,  申喜珠 ,  李兹傧

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2427 ,  H01L23/528 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2481 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/142

Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。