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公开(公告)号：CN111192613B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201911050560.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了存储器器件和存储器单元。该存储器器件包括字线、与字线交叉的位线、以及在字线和位线的交叉处的存储器单元。该存储器单元包括连接到字线的第一电极、连接到位线的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的选择元件层。该选择元件层包括Ge‑Se‑Te、Ge‑Se‑Te‑As和Ge‑Se‑Te‑As‑Si中的一种，并且Ge‑Se‑Te‑As和Ge‑Se‑Te‑As‑Si中的每种的砷(As)成分的组分比率大于0.01且小于0.17。
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公开(公告)号：CN110875069B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910645716.X
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一导线，在第一方向上延伸；第二导线，在第二方向上延伸；以及多个存储器单元，均布置在第一导线与第二导线之间，并且均包括可变电阻存储器层和开关材料图案。开关材料图案包括：元素注入区域，布置在开关材料图案的外部区域中；以及内部区域，被元素注入区域覆盖。内部区域包含第一含量的来自砷(As)、硫(S)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一种元素，元素注入区域包含第二含量的来自As、S、Se和Te中的所述至少一种元素，并且第二含量具有所述至少一种元素的含量远离开关材料图案的至少一个表面而降低的分布曲线。
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公开(公告)号：CN111192613A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911050560.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了存储器器件和存储器单元。该存储器器件包括字线、与字线交叉的位线、以及在字线和位线的交叉处的存储器单元。该存储器单元包括连接到字线的第一电极、连接到位线的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的选择元件层。该选择元件层包括Ge-Se-Te、Ge-Se-Te-As和Ge-Se-Te-As-Si中的一种，并且Ge-Se-Te-As和Ge-Se-Te-As-Si中的每种的砷(As)成分的组分比率大于0.01且小于0.17。
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公开(公告)号：CN110875069A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910645716.X
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一导线，在第一方向上延伸；第二导线，在第二方向上延伸；以及多个存储器单元，均布置在第一导线与第二导线之间，并且均包括可变电阻存储器层和开关材料图案。开关材料图案包括：元素注入区域，布置在开关材料图案的外部区域中；以及内部区域，被元素注入区域覆盖。内部区域包含第一含量的来自砷(As)、硫(S)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一种元素，元素注入区域包含第二含量的来自As、S、Se和Te中的所述至少一种元素，并且第二含量具有所述至少一种元素的含量远离开关材料图案的至少一个表面而降低的分布曲线。
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