公开(公告)号：CN103296088B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310061264.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  李东矩 ,  李丞哲 ,  李炯锡 ,  南善娥 ,  吴昌佑 ,  李钟昱 ,  S-Y.韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。

公开(公告)号：CN103325736B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310087395.9

申请日：2013-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  闵信喆 ,  李钟昱 ,  李忠浩

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了具有不同鳍宽的鳍式场效应晶体管的制作方法。该方法包括：准备具有第一区域和第二区域的衬底；在第一区域和第二区域上形成鳍部，每个鳍部从所述衬底上突出且具有第一宽度；形成第一掩模图案，以暴露第一区域上的鳍部并覆盖第二区域上的鳍部；以及改变第一区域上的鳍部的宽度。

公开(公告)号：CN101009247B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200710004096.9

申请日：2007-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/8221

Abstract: 提供了一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以形成多个开口，其露出在开口底部的衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过利用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单晶半导体膜。

公开(公告)号：CN101483194A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810154762.1

申请日：2008-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  李钟昱

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11556

Abstract: 本发明公开了一种垂直型非易失性存储器器件及其制造方法。在该半导体器件及其制造方法中，器件包括沿水平方向延伸的单晶半导体材料的衬底以及在该衬底上的多个层间电介质层。多个栅极图案被提供，每个栅极图案在相邻下层间电介质层与相邻上层间电介质层之间。单晶半导体材料的垂直沟道沿垂直方向延伸穿过多个层间电介质层和栅极图案，栅极绝缘层在每个栅极图案与垂直沟道之间并使栅极图案与垂直沟道绝缘。