公开(公告)号：CN118538732A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410189345.X

申请日：2024-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁明 ,  洪元赫 ,  郑明勋 ,  李钟振 ,  白在职 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：至少一个晶体管，包括源极/漏极区和第一栅极结构；在第一栅极结构下方的接触隔离层；以及连接到第一源极/漏极区中的至少一个的背面接触插塞，其中背面接触插塞形成在第一源极/漏极区下方并延伸到第一栅极结构下方的区域，并且通过接触隔离层与第一栅极结构隔离。

公开(公告)号：CN116960126A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310467107.6

申请日：2023-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩成 ,  白在职 ,  洪元赫 ,  郑明勋 ,  李钟振 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：至少一个晶体管、正面结构和背面结构，正面结构相对于晶体管与背面结构相对设置；以及前通路，形成在晶体管的一侧并将正面结构连接到背面结构，其中前通路形成在由彼此垂直连接的下通路孔和上通路孔形成的通路孔中，以及其中通路孔在其侧表面具有弯曲结构，在该弯曲结构处，下通路孔连接到上通路孔。

公开(公告)号：CN115017092A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210207376.4

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴翔煜 ,  朴埈奭 ,  李钟振 ,  张虎郎

IPC: G06F15/78 ,  G06F1/26

Abstract: 提供了电子设备和控制电子设备中的电源的方法。一种电子设备，包括片上系统(SoC)和电源管理集成电路(PMIC)。该SoC包括多个电源域以及对该电源域执行动态电压和频率缩放(DVFS)的DVFS控制器。该PMIC包括直流(DC)‑DC转换器以及控制多个DC‑DC转换器的控制逻辑，并且所述DC‑DC转换器的每个将对应的输出电压提供给该电源域中的相应的电源域。该控制逻辑将提供具有目标电平的目标输出电压的目标DC‑DC转换器指定为全局DC‑DC转换器，并且通过共享由该全局DC‑DC转换器提供的目标输出电压，将目标输出电压提供给多个电源域之中对应于全局DC‑DC转换器的电源域以及消耗目标输出电压的至少一个第一电源域。

公开(公告)号：CN101183678A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710166997.8

申请日：2007-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  李钟振 ,  金元柱 ,  具俊谟 ,  宋承桓

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8234

Abstract: 示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据示例性实施例的半导体器件可以具有减小的读取操作期间的干扰，并且可以具有减小的短沟道效应。该半导体器件可以包括半导体基底，该半导体基底具有体和从所述体突出的一对鳍。在所述一对鳍的内侧壁的上部上可以形成内部间隔绝缘层，从而减小进入所述一对鳍之间的区域的入口。栅电极可以覆盖所述一对鳍的外侧壁的一部分，并且可以延伸越过内部间隔绝缘层，从而在所述一对鳍之间限定空隙。可以在栅电极和所述一对鳍之间设置栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN119947236A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411555568.X

申请日：2024-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪元赫 ,  李钟振 ,  金泰善 ,  徐康一

IPC: H10D84/83 ,  H10D62/10 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：沟道结构；在沟道结构上的栅极结构；在沟道结构上的第一源极/漏极区；在栅极结构下方的衬底层；在衬底层下方的第一蚀刻停止层；背侧间隔物，在衬底层和第一蚀刻停止层的侧表面上；以及背侧接触结构，在第一源极/漏极区的底表面和背侧间隔物的侧表面上。

公开(公告)号：CN118689627A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410337047.0

申请日：2024-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙裕硕 ,  李钟振 ,  金成镐

IPC: G06F9/50 ,  G06N3/063 ,  G06F1/12 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/044 ,  G06N3/092 ,  G06N3/045

Abstract: 一种半导体系统包括：共享资源管理电路，配置为提供具有根据设置水平调节的水平的共享资源；多个知识产权(IP)块，每个IP块包括配置为运行指令并配置为生成多个控制信号中的单独的相应的控制信号的至少一个核，多个控制信号包括多个设置水平中的单独的相应的设置水平；以及包括多个槽的逻辑电路，所述多个槽配置为分别存储分别包括在分别从所述多个IP块接收到的所述多个控制信号中的所述多个设置水平，逻辑电路配置为从所述多个设置水平中选择目标设置水平，并向共享资源管理电路发送包括目标设置水平的目标控制信号。

公开(公告)号：CN117673005A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311140978.3

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪元赫 ,  白在职 ,  李钟振 ,  徐康一 ,  郑明勋

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括：下绝缘结构；在下绝缘结构上的晶体管，该晶体管包括源极/漏极区；在下绝缘结构中的电源轨结构；以及电源接触结构，在电源轨结构上并将源极/漏极区电连接到电源轨结构。电源接触结构可以包括在电源轨结构中的下部。

公开(公告)号：CN112055400A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010471392.5

申请日：2020-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔佑宁 ,  金东润 ,  伊万·加尔金 ,  朴知勋 ,  李钟振

IPC: H04W52/02 ,  H04W76/28 ,  H04W4/70

Abstract: 一种电子设备，包括：窄带物联网(NB‑IoT)电路；用于控制窄带物联网电路的共享中央处理器；用于存储来自共享中央处理器的数据或代码的共享存储器；以及由共享中央处理器控制的通信装置。该通信装置将数据或代码存储在共享存储器中。

公开(公告)号：CN101299442B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200810008714.1

申请日：2008-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世薰 ,  崔晶东 ,  张桐熏 ,  李钟振

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种存储器件包括衬底中的相邻隔离层之间的衬底上的第一浮栅电极，该第一浮栅电极的至少一部分在相邻隔离层的一部分上面突出；第二浮栅电极，在相邻隔离层的至少一个上，电连接到第一浮栅电极；该第一和第二浮栅电极上方的介电层；以及该介电层及第一和第二浮栅电极上方的控制栅。

公开(公告)号：CN119181706A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410807875.6

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  李钟振 ,  杰森·马蒂诺 ,  徐康一 ,  洪元赫

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；沟道结构，将第一源极/漏极区连接到第二源极/漏极区；围绕沟道结构的栅极结构；背面接触结构，在第一源极/漏极区下面，连接到第一源极/漏极区；以及在背面接触结构的横向侧处的第一背面间隔物。