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公开(公告)号：CN116501655A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310039206.4
申请日：2023-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/1009
Abstract: 公开了一种操作存储控制器的方法、操作存储装置的方法和存储控制器，该存储控制器与主机和非易失性存储器装置通信。该操作存储控制器的方法包括：从主机接收第一擦除请求，该第一擦除请求针对非易失性存储器装置的多个区中的第一区；基于第一擦除请求从分配清单表加载第一区的第一分配清单信息；基于第一分配清单信息将分配给第一区的存储器块解除分配，其中，存储器块的顺序物理页编号分别被映射至顺序逻辑页编号；以及向非易失性存储器装置提供对第一区的解除分配的存储器块的物理擦除请求。
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公开(公告)号：CN108804041B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810576016.5
申请日：2014-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器装置及其操作系统(OS)图像处理方法。非易失性存储器装置包括非易失性存储装置和存储控制器，非易失性存储装置包括第一存储区域和第二存储区域。存储控制器包括被构造为存储可靠模式信息的第一寄存器、被构造为存储预修补数据信息的第二寄存器和被构造为存储可靠模式的激活信息的第三寄存器。存储控制器被构造为：接收并存储预修补数据信息；接收具有预修补数据的写入命令；激活可靠模式；将预修补数据写入第一存储区域；当可靠模式的激活信息指示可靠模式处于激活时，阻断预修补数据从第一存储区域向第二存储区域的数据转移，第一存储区域中存储单元的每单元存储比特数量比第二存储区域中存储单元的每单元存储比特数量少。
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公开(公告)号：CN107845394A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710482651.2
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0613 , G06F3/0673 , G06F13/00 , G06F2212/70 , G11C7/1084 , G11C7/22 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3495 , G11C2211/5641 , G11C7/109 , G11C8/08
Abstract: 一种存储装置及操作存储装置的方法。所述存储装置包括第一存储区及第二存储区。所述方法包括：响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及，以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区。所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116521060A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310065909.4
申请日：2023-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种与主机和非易失性存储器装置通信的存储控制器、一种操作该存储控制器的方法、以及一种操作存储装置的方法。操作该存储控制器的方法包括：从主机接收装置打开的第一状态转变请求；响应于第一状态转变请求而执行非易失性存储器装置的第一活动区刷新操作，使得在紧接的前一断电之前具有活动状态的区在一个块中被处理为顺序可写状态；根据第一写请求通过第一缓冲存储器从主机接收要存储在多个区当中的第一区的第一块中的第一目标数据；在处理第一写请求期间从主机接收第一断电请求；以及将第一目标数据存储在非易失性存储器装置的第一失电保护(PLP)块中。
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公开(公告)号：CN115017092A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210207376.4
申请日：2022-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了电子设备和控制电子设备中的电源的方法。一种电子设备，包括片上系统(SoC)和电源管理集成电路(PMIC)。该SoC包括多个电源域以及对该电源域执行动态电压和频率缩放(DVFS)的DVFS控制器。该PMIC包括直流(DC)‑DC转换器以及控制多个DC‑DC转换器的控制逻辑，并且所述DC‑DC转换器的每个将对应的输出电压提供给该电源域中的相应的电源域。该控制逻辑将提供具有目标电平的目标输出电压的目标DC‑DC转换器指定为全局DC‑DC转换器，并且通过共享由该全局DC‑DC转换器提供的目标输出电压，将目标输出电压提供给多个电源域之中对应于全局DC‑DC转换器的电源域以及消耗目标输出电压的至少一个第一电源域。
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公开(公告)号：CN108804041A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810576016.5
申请日：2014-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器装置及其操作系统（OS）图像处理方法。非易失性存储器装置包括非易失性存储装置和存储控制器，非易失性存储装置包括第一存储区域和第二存储区域。存储控制器包括被构造为存储可靠模式信息的第一寄存器、被构造为存储预修补数据信息的第二寄存器和被构造为存储可靠模式的激活信息的第三寄存器。存储控制器被构造为：接收并存储预修补数据信息；接收具有预修补数据的写入命令；激活可靠模式；将预修补数据写入第一存储区域；当可靠模式的激活信息指示可靠模式处于激活时，阻断预修补数据从第一存储区域向第二存储区域的数据转移，第一存储区域中存储单元的每单元存储比特数量比第二存储区域中存储单元的每单元存储比特数量少。
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公开(公告)号：CN104050099B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410097614.6
申请日：2014-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0617 , G06F3/0634 , G06F3/0647 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F8/63 , G06F11/1008 , G06F12/0246
Abstract: 一种非易失性存储器装置及其操作系统（OS）图像处理方法。非易失性存储器装置包括非易失性存储装置，所述非易失性存储器装置包括非易失性存储装置和存储控制器，所述非易失性存储装置包括第一存储区域和第二存储区域。存储控制器包括被构造为存储可靠模式信息的第一寄存器和被构造为存储操作系统（OS）图像信息的第二寄存器。存储控制器被构造为：基于可靠模式信息接收来自主机的命令；确定所述命令是否是OS图像的写入命令以及随同命令的OS图像信息是否与存储在第二寄存器中的OS图像信息匹配；如果随同命令的OS图像信息与存储在第二寄存器中的OS图像信息匹配，则向第一存储区域写入OS图像，并阻挡OS图像从第一存储区域向第二存储区域的数据转移。
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公开(公告)号：CN104050099A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410097614.6
申请日：2014-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0617 , G06F3/0634 , G06F3/0647 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F8/63 , G06F11/1008 , G06F12/0246
Abstract: 一种非易失性存储器装置及其操作系统（OS）图像处理方法。非易失性存储器装置包括非易失性存储装置，所述非易失性存储器装置包括非易失性存储装置和存储控制器，所述非易失性存储装置包括第一存储区域和第二存储区域。存储控制器包括被构造为存储可靠模式信息的第一寄存器和被构造为存储操作系统（OS）图像信息的第二寄存器。存储控制器被构造为：基于可靠模式信息接收来自主机的命令；确定所述命令是否是OS图像的写入命令以及随同命令的OS图像信息是否与存储在第二寄存器中的OS图像信息匹配；如果随同命令的OS图像信息与存储在第二寄存器中的OS图像信息匹配，则向第一存储区域写入OS图像，并阻挡OS图像从第一存储区域向第二存储区域的数据转移。
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