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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165186A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210554849.4
申请日：2012-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3404 , G06F12/0246 , G11C5/147 , G11C7/04 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C29/028
Abstract: 一种对存储器件编程的方法，包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中使用该控制器改变该存储器件的第一编程和第二编程的编程比率。
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公开(公告)号：CN107845394A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710482651.2
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0613 , G06F3/0673 , G06F13/00 , G06F2212/70 , G11C7/1084 , G11C7/22 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3495 , G11C2211/5641 , G11C7/109 , G11C8/08
Abstract: 一种存储装置及操作存储装置的方法。所述存储装置包括第一存储区及第二存储区。所述方法包括：响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及，以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区。所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。
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公开(公告)号：CN102033785B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201010293364.5
申请日：2010-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418 , G06F11/1048 , G11C2029/0411
Abstract: 操作电路以从至少一页中的多个存储单元中检测不稳定的存储单元。根据存储单元中存储的数据的初始状态来确定：以标准读电压读取数据时是否没有发生读错误，是否发生了读错误并且该读错误是可纠正的，以及是否发生了读错误并且该读错误是不可纠正的。响应于确定发生了可纠正的读错误，通过以具有不同于标准读电压的电压的纠正读电压读取存储单元中存储的数据，以及通过确定以纠正读电压读取的数据中发生的读错误是可纠正的还是不可纠正的，进一步确定存储单元是否是可纠正的。
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公开(公告)号：CN102033785A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010293364.5
申请日：2010-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418 , G06F11/1048 , G11C2029/0411
Abstract: 操作电路以从至少一页中的多个存储单元中检测不稳定的存储单元。根据存储单元中存储的数据的初始状态来确定：以标准读电压读取数据时是否没有发生读错误，是否发生了读错误并且该读错误是可纠正的，以及是否发生了读错误并且该读错误是不可纠正的。响应于确定发生了可纠正的读错误，通过以具有不同于标准读电压的电压的纠正读电压读取存储单元中存储的数据，以及通过确定以纠正读电压读取的数据中发生的读错误是可纠正的还是不可纠正的，进一步确定存储单元是否是可纠正的。
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