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公开(公告)号:CN119449110A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411049121.5
申请日:2024-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B7/06 , H04B7/08 , H04B17/318 , H04B17/336 , H04W72/044
Abstract: 公开了电子装置及其操作方法和操作无线通信系统的方法。所述电子装置包括:至少一个存储器;通信接口,包括天线阵列,天线阵列被配置为形成多个候选波束;以及至少一个处理器,可操作地连接到通信接口和所述至少一个存储器。所述至少一个处理器被配置为:基于针对从外部装置接收的信号在所述多个候选波束中的每个中测量的参考信号接收功率(RSRP),生成多个RSRP模式数据;通过将所述多个RSRP模式数据中的每个应用于基于深度学习算法训练的神经网络,估计针对所述多个RSRP模式数据中的每个的到达角(AoA)分布;并且基于估计的AoA分布,执行用于与外部装置的无线通信的波束管理。
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公开(公告)号:CN117914367A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202311330564.7
申请日:2023-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了采用信道状态信息压缩的无线通信装置和方法,具体地,提供了一种无线通信装置的操作方法,所述方法包括:从基站接收信道状态信息参考信号(CSI‑RS),基于CSI‑RS通过估计无线通信装置与基站之间的信道来生成信道信息,以及向基站报告所述信道信息,其中,生成所述信道信息包括:通过在空间域中对接收CSI‑RS的子带的信道特性信息进行压缩来生成第一压缩数据,通过使用第一离散傅里叶变换(DFT)函数在频域中压缩第一压缩数据来生成第二压缩数据,其中,第一DFT函数具有与在用于与基站通信的带宽部分(BWP)中接收CSI‑RS的子带的数量对应的大小,以及基于第二压缩数据来生成所述信道信息。
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公开(公告)号:CN109841595B
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN201811432240.3
申请日:2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种半导体存储器件和制造其的方法。该半导体存储器件可以包括:第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区,在半导体衬底中彼此间隔开;位线,电连接到第一杂质掺杂区并跨越半导体衬底;存储节点接触,电连接到第二杂质掺杂区;第一间隔物和第二间隔物,设置在位线与存储节点接触之间;以及气隙区,设置在第一间隔物与第二间隔物之间。第一间隔物可以覆盖位线的侧壁,第二间隔物可以与存储节点接触相邻。第一间隔物的顶端可以具有比第二间隔物的顶端的高度高的高度。
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公开(公告)号:CN107342237B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN201710269901.4
申请日:2017-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种制造半导体封装件的方法和制造层叠封装(PoP)半导体装置的方法。制造半导体封装件的方法包括:提供下半导体封装件,下半导体封装件包括下封装基底以及在下封装基底的顶表面上的下虚设球和下焊料球;提供上半导体封装件,上半导体封装件包括上封装基底以及在上封装基底的底表面上的上虚设球和上焊料球;在第一温度下将上虚设球接合到下虚设球,以形成焊料接合件;在第二温度下将上焊料球接合到下焊料球,以形成连接端子。
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公开(公告)号:CN111817759A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN202010198965.1
申请日:2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B7/0426 , H04B7/06 , H04B7/08
Abstract: 提供了用于包括波束训练的无线通信的装置和方法。在无线通信方法中波束训练阶段与数据传输阶段交替。该方法包括:在第一波束训练阶段中基于使用一个或多个第一训练波束接收到的信号来估计第一信道;以及在第一波束训练阶段中,基于估计的第一信道和与估计的第一信道相对应的第一目标函数,从一个或多个第一训练波束中计算用于第一数据传输阶段的第一数据波束,该第一数据传输阶段在第一波束训练阶段之后。
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公开(公告)号:CN107887364A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201710858966.2
申请日:2017-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/544 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L21/76802
Abstract: 提供一种具有对准键的半导体装置及其制造方法。对准键在基底上,该对准键包括:第一子对准键图案,具有顺序地堆叠在基底上的第一导电图案、第二导电图案和覆盖介电图案;对准键沟槽,穿过第一子对准键图案的至少一部分;以及下导电图案,在对准键沟槽中。对准键沟槽包括:上沟槽,设置在覆盖介电图案中且具有第一宽度;以及下沟槽,从上沟槽向下延伸且具有比第一宽度小的第二宽度。下导电图案包括分别设置在下沟槽的相对侧壁上的侧壁导电图案。
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公开(公告)号:CN117856846A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311287584.0
申请日:2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种无线通信装置的方法和基站的方法。所述无线通信装置的所述方法包括:从所述基站接收参考信号,基于所述参考信号来估计无线通信装置与基站之间的第一信道,基于第一人工智能模型从第一信道提取包括分组的属性的特征,其中,第一人工智能模型被训练以减小由无线通信装置估计的第一信道与由基站估计的第二信道之间的差,使用基于第二人工智能模型的码本并通过针对每一个组属性生成码本的一个或更多个索引,对所述分组的属性进行量化,并且向基站发送比特流,其中,所述比特流包括所述码本的所述索引的组合信息。
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公开(公告)号:CN116034335A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202180056941.5
申请日:2021-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0488
Abstract: 在根据本公开的一个实施例中公开了一种电子装置,包括:显示器;输入感测电路,其能够获取通过显示器输入的手写输入;以及至少一个处理器,其电连接到显示器和输入感测电路,其中,至少一个处理器使用输入感测电路来识别经由通过显示器输入的手写输入所生成的书写字符、确定所识别的书写字符的斜率、基于所确定的斜率将所识别的书写字符水平对齐、以及控制显示器使得所识别的书写字符与水平对齐的书写字符被交叠显示。通过说明书确认的其他各种实施例是可能的。
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公开(公告)号:CN107845394A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201710482651.2
申请日:2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0613 , G06F3/0673 , G06F13/00 , G06F2212/70 , G11C7/1084 , G11C7/22 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3495 , G11C2211/5641 , G11C7/109 , G11C8/08
Abstract: 一种存储装置及操作存储装置的方法。所述存储装置包括第一存储区及第二存储区。所述方法包括:响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率;以及,以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区。所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元,且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。
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