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公开(公告)号：CN107104121B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201710083498.6
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了存储器件及其制造方法。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。
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公开(公告)号：CN108666417A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810257802.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1-U)[X]U……(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
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公开(公告)号：CN107644934A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U)[N]U-------------------------------(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
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公开(公告)号：CN107104121A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710083498.6
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L21/82
Abstract: 本发明公开了存储器件及其制造方法。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。
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公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN107204351B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201710167017.X
申请日：2017-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法，其中该半导体存储器件包括：第一导电线，其在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，其在第一导电线之上在第二方向上延伸，第一导电线和第二导电线在交叉点处彼此交叉；单元结构，其位于交叉点的每个处，单元结构的每个具有数据存储元件、选择元件和电极元件，选择元件用于将单元选择信号施加于数据存储元件并改变数据存储元件的数据状态，电极元件至少具有一电极，该电极具有一表面，该表面与比选择元件的一表面接触且小于选择元件的该表面；以及绝缘图案，其使第一导电线和第二导电线和单元结构彼此绝缘。
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公开(公告)号：CN114628436A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210171597.0
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。
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公开(公告)号：CN105374933A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510500987.8
申请日：2015-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。
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