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公开(公告)号：CN112054119A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010423728.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基体结构，包括半导体基底；第一导电结构，设置在基体结构上，并且在第一方向上延伸，第一导电结构包括下层，并且下层之中的至少一个下层包括碳；数据存贮材料图案，设置在第一导电结构上。所述半导体器件还包括：中间导电图案，设置在数据存贮材料图案上并且包括中间层，中间层之中的至少一个中间层包括碳；开关材料图案，设置在中间导电图案上；以及开关上电极图案，设置在开关材料图案上并且包括碳。所述半导体器件还包括：第二导电结构，设置在开关上电极图案上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及孔间隔件，设置在数据存贮材料图案的侧表面上。
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公开(公告)号：CN110828368A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910604163.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 提供了一种可变电阻式存储器装置，包括：第一电极线层，包括在第一方向上延伸并在衬底上彼此间隔开的第一电极线；第二电极线层，位于第一电极线层上方，并包括在与第一方向正交的第二方向上延伸并彼此间隔开的第二电极线；和存储器单元层，包括位于第一电极线层和第二电极线层之间的存储器单元。存储器单元的每一个包括选择装置层、中间电极层和可变电阻层。第一绝缘层位于第一电极线之间，第二绝缘层位于存储器单元之间，第三绝缘层位于第二电极线之间。第二绝缘层包括在存储器单元的侧表面上的气隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112397645B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202010284475.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15：1。
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公开(公告)号：CN118368900A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311449990.2
申请日：2023-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：衬底；堆叠结构，其包括交替堆叠在衬底上的层间绝缘层和栅电极；沟道层，其在与衬底交叉的方向上延伸穿过堆叠结构；以及在栅电极和沟道层之间的栅极介电层，该栅极介电层包括顺序地在沟道层上的隧穿层、电荷存储层和阻挡层，其中，隧穿层包括含碳的含碳层，并且隧穿层定位成更靠近沟道层而不是更靠近电荷存储层。
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公开(公告)号：CN114079005A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110918866.0
申请日：2021-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括覆盖半导体衬底上的电路元件的下绝缘结构和下绝缘结构上的上结构。上结构包括第一导线与第二导线之间的存储器单元结构。第一导线在第一水平方向上延伸，第二导线在第二水平方向上延伸。存储器单元结构包括在竖直方向上重叠的至少三个电极图案、数据存储材料图案和选择器材料图案。选择器材料图案包括阈开关材料和金属材料。阈开关材料包括锗(Ge)、砷(As)和硒(Se)，并且金属材料包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。金属材料的含量大于0原子％且小于2原子％。
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公开(公告)号：CN110858623A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910782346.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。
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公开(公告)号：CN110858619A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910534229.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。
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