公开(公告)号：CN110858619B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201910534229.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟旭 ,  高永珉 ,  金秉柱 ,  朴洸珉 ,  朴正熙 ,  崔熙成

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。

公开(公告)号：CN110858619A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910534229.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟旭 ,  高永珉 ,  金秉柱 ,  朴洸珉 ,  朴正熙 ,  崔熙成

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。