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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109872995A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811381430.7
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11517 , H01L27/11578 , H01L27/11563
Abstract: 本公开提供了存储器件。一种存储器件包括在基板上处于第一水平面的第一单元块以及在基板上处于不同于第一水平面的第二水平面的第二单元块。第一单元块和第二单元块中的每个包括：在第一方向上延伸的字线，该第一方向平行于基板的顶表面；连接到字线在第一方向上的中心点的字线接触；在第二方向上延伸的位线，该第二方向平行于基板的顶表面并与第一方向交叉；连接到位线在第二方向上的中心点的位线接触；以及在字线和位线之间的存储单元。第二单元块在第一方向和第二方向中的至少一个上从第一单元块偏移。
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公开(公告)号：CN101325179A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810093182.6
申请日：2008-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/24 , H01L23/522 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种具有自对准电极的半导体存储器件的制造方法。在衬底上形成具有接触孔的层间绝缘层。形成部分地填充该接触孔的相变图形。形成包括自对准到相变图形并跨越层间绝缘层的位延伸的位线。该位延伸可以在相变图形上的接触孔中延伸。该位延伸与相变图形接触。
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公开(公告)号：CN1996609A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610172083.8
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫化物元件，该硫化物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫化物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫化物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫化物材料的第一可编程体积限定在硫化物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫化物材料的第二可编程体积限定在硫化物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
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公开(公告)号：CN1885542A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610089834.X
申请日：2006-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 提供在其中具有垂直二极管的集成电路器件。该器件包括集成电路衬底和集成电路衬底上的绝缘层。接触孔贯穿绝缘层。垂直二极管在接触孔的下部区域中以及接触孔中的底电极具有在垂直二极管的顶表面上的底表面。底电极与垂直二极管自对准。底电极的顶表面面积小于接触孔的水平截面面积。还提供形成该集成电路器件和相变存储单元的方法。
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公开(公告)号：CN1747060A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510091996.2
申请日：2005-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。
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