公开(公告)号：CN111933683A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010084287.6

申请日：2020-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎居明 ,  朴判貴 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：在第一方向上纵向延伸的鳍型有源区；在鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠的多个纳米片；以及在鳍型有源区上并在第一方向上面向所述多个纳米片的源极/漏极区域。所述多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区的鳍顶表面并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域。第一源极/漏极突出区域从源极/漏极主区域朝着第一纳米片突出并在第二方向上与所述多个纳米片的部分交叠。

公开(公告)号：CN110060999A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910156871.5

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN107017295A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610903349.5

申请日：2016-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正允 ,  梁光容 ,  慎居明 ,  郑显秀 ,  李庸硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的隔离图案，所述隔离图案具有在衬底上的下部绝缘图案，以及覆盖所述下部绝缘图案的侧表面的间隔物；穿过所述隔离图案以接触衬底的垂直结构，所述垂直结构具有在衬底上的第一半导体层，第一半导体层的下端在比所述隔离图案的下表面更低的高度，在第一半导体层上的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第三半导体层；以及与垂直结构交叉且在所述隔离图案上方延伸的栅电极。