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公开(公告)号：CN118016622A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311374703.6
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/52 , H01L23/535 , H01L23/31 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括：电路层，位于第一衬底上；第一贯穿硅通路，穿过第一衬底；第一下凸块焊盘，位于电路层上；以及第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘，位于第一衬底的第二表面上，第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘中的每一者连接到对应的第一贯穿硅通路。所述半导体封装件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片包括位于第二衬底的第一表面上的电路层和位于第二衬底上的电路层上的第二下凸块焊盘。所述半导体封装件还包括用于接合第一上凸块焊盘和第二下凸块焊盘的第一焊料凸块以及用于接合第二上凸块焊盘和第二下凸块焊盘的多个第二焊料凸块。
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公开(公告)号：CN117995821A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311401287.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/498 , H10B80/00 , H01L23/528
Abstract: 提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底芯片，所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面，所述基底芯片包括设置在所述前表面上的凸块焊盘、晶片测试焊盘和封装测试焊盘；连接结构，所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上并且连接到所述凸块焊盘；以及半导体芯片，所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上，其中，每一个所述晶片测试焊盘在尺寸上小于所述封装测试焊盘。
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公开(公告)号：CN115966536A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211238710.9
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 提供了包括硅通孔的半导体装置。所述半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。设置有延伸穿过基底过孔绝缘层。设置有延伸穿过过孔绝缘层的硅通孔。硅通孔的中心从过孔绝缘层的中心偏离。阻挡层设置在第一表面上。第一绝缘层设置在阻挡层上。设置有延伸穿过第一绝缘层和阻挡层并接触硅通孔的接触插塞。
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公开(公告)号：CN113451202A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110256957.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成通路；在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案。形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。
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公开(公告)号：CN108155189A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711247712.3
申请日：2017-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/522 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L29/0649 , H01L29/4983
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118198032A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311545238.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/488 , H01L23/367 , H01L25/04
Abstract: 公开了一种半导体芯片和一种半导体封装件。该半导体芯片包括：半导体衬底，其包括有源表面和面对有源表面的无源表面；多布线层，其布置在半导体衬底的有源表面上，并且包括具有至少两个层并且包括导电布线和伪布线的布线结构；下保护层，其布置在多布线层的前表面上，并且包括连接到导电布线的导电介质焊盘；多个通孔，其被配置为穿透半导体衬底，并且包括多个电力通孔、多个信号通孔和多个伪通孔；以及多个背侧焊盘，其布置在半导体衬底的无源表面上，并且连接到多个通孔，其中，多个伪通孔连接到布线结构。
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公开(公告)号：CN117637699A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310661775.2
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544
Abstract: 提供了一种具有减小的厚度和提高的可靠性的半导体芯片以及包括半导体芯片的半导体封装件。半导体芯片包括半导体衬底、半导体衬底上的集成器件层、集成器件层上的多布线层、以及多布线层上的多个焊盘金属层的焊盘金属层，并且焊盘金属层具有限定于其中的测试焊盘。焊盘金属层在平行于半导体衬底的顶表面的第一方向或者垂直于第一方向的第二方向上延伸。测试焊盘是焊盘金属层的中心部分，并且焊盘金属层的排除测试焊盘的外部分在垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向上与布线重叠。
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公开(公告)号：CN108155189B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201711247712.3
申请日：2017-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。
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公开(公告)号：CN113517254A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110143214.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/14
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；钝化层，位于半导体基底的第一表面上，钝化层具有暴露导电垫的第一开口；有机介电层，位于钝化层上，有机介电层具有第二开口；以及凸块结构，位于导电垫上并且位于第一开口和第二开口中。有机介电层包括与钝化层的材料不同的材料。第二开口空间地连接到第一开口并且暴露钝化层的部分。凸块结构包括与钝化层和有机介电层接触的柱图案。
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