具有气隙间隔物的半导体器件及制造其的方法

    公开(公告)号:CN108155189B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN201711247712.3

    申请日:2017-12-01

    Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括:提供包括单元区和外围电路区的衬底,单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极,外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区;在外围电路区上形成层间绝缘膜;在层间绝缘膜上形成第一金属层;在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽,第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜;在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙;用第一绝缘材料填充第二沟槽;以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。

    衣物烘干机
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103668910A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310384853.5

    申请日:2013-08-29

    CPC classification number: F26B21/004 D06F58/04 D06F58/20 D06F58/263 D06F58/02

    Abstract: 本发明提供一种衣物烘干机,所述衣物烘干机包括具有进入口的后导管和连接到进入口以将空气引导到后导管的下导管。下导管由从后导管延伸的弹性支撑突起弹性地支撑。因此,即使当在衣物烘干机操作的过程中产生的振动传递到下导管或后导管时,也能抑制由于下导管和后导管之间的碰撞产生的噪声。

    在无线通信系统分配传输时间段的方法和设备及其系统

    公开(公告)号:CN101288249B

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN200680038332.2

    申请日:2006-10-17

    Abstract: 提供在无线网络系统中有效地分配传输时间段的方法和设备。接入点发送指示提供给每一站点(STA)的下行链路时间段以及分配给每个STA的上行链路时间段的最小量的PSMP帧,并且在PSMP帧指示的上行链路时间段,发送指示为发送用于剩余排队的数据的资源请求消息的STA提供的上行链路时间段的至少一个子PSMP帧。如果上行链路时间段不足以发送排队的数据,则STA在上行链路时间段发送包括部分的排队的数据和用于剩余排队的数据的资源请求消息的数据单元。在发送资源请求消息之后,STA在子PSMP帧指示的全部时间段之后接收子PSMP帧,并在子PSMP帧指示的上行链路时间段将剩余排队的数据发送给AP。

    用于在移动通信系统中报告包的接收结果的方法

    公开(公告)号:CN101662350A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200910171066.6

    申请日:2005-08-12

    Abstract: 公开了一种在充分执行其确认功能的同时使包含接收结果信息的位映射字段的大小能够被大大减小的位映射结构。为此,分配了使可由块ACK处理的最大可容许SN级包的接收成功或失败能够被证实的记录指示符的消息区域。还分配了用于仅记录没有被成功接收的包的接收结果的消息区域。接收方通过指示符证实没有被成功接收的包,并且重发这些没有被成功接收的包。另外,发送方将SN级包的数量和分段包的最大数量提供给接收方。接收方确定最优化的位映射配置方案,并且基于确定位映射方案将各分段包的接收结果发送到发送方。

    无线通信系统中分配传输时间段的方法和设备及其系统

    公开(公告)号:CN101288250A

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:CN200680038377.X

    申请日:2006-10-17

    Abstract: 提供一种在无线网络系统中分配传输时间段的设备和方法。接入点(AP)发送PSMP帧和至少一个子PSMP帧,所述PSMP帧指示分配给每个站(STA)的下行链路时间段和上行链路时间段,所述子PSMP帧指示用于重新发送下行链路数据和传输指示成功接收上行链路数据的ACK中的至少一个而分配的下行链路时间段。在PSMP帧指示的下行链路时间段和上行链路时间段与AP交换数据之后,STA接收每个子PSMP帧,并且在每个子PSMP帧指示的下行链路时间段执行重新发送的下行链路数据的接收和ACK的接收中的至少一个。

    半导体存储器装置及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118555825A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202311818795.2

    申请日:2023-12-27

    Abstract: 一种半导体存储器装置,包括:半导体衬底;堆叠结构,其包括交替地堆叠在半导体衬底上的字线和层间电介质图案;蚀刻停止层,其在堆叠结构上;半导体图案,其穿透字线;位线,其与半导体图案接触;封盖电介质图案,其位于位线和字线之间,封盖电介质图案覆盖字线的侧壁;以及数据存储元件,其在半导体衬底上,其中,蚀刻停止层的底表面的水平高度与数据存储元件的顶表面的水平高度相同。

    图案形成方法、集成电路器件和集成电路器件制造方法

    公开(公告)号:CN112151358B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202010258067.0

    申请日:2020-04-03

    Abstract: 本发明公开了一种形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。该形成图案的方法包括:在第一区域和第二区域中在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构;在第一区域中形成第一光致抗蚀剂图案并在第二区域中形成第二光致抗蚀剂图案;通过将第一和第二光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层,形成包括多个开口的可逆硬掩模图案;通过用间隙填充硬掩模图案材料填充形成所述多个开口中的形成在第一区域中的开口,形成间隙填充硬掩模图案;以及通过在第一区域中将间隙填充硬掩模图案的形状转印到目标层并在第二区域中将可逆硬掩模图案的形状转印到目标层,由目标层形成特征图案。

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