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公开(公告)号：CN101807575A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910265299.2
申请日：2009-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L27/10855 , H01L27/10888 , H01L27/11 , H01L27/11517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了包括接触塞的半导体器件及相关方法。半导体器件包括半导体层，该半导体层包括第一区域和第二区域；第一接触塞，该第一接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域；第二接触塞，该第二接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第二区域；导电层，该导电层电气地连接至第一接触塞，该导电层具有侧面和底面；以及绝缘层，该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便于绝缘导电层和第二接触塞，该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。
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公开(公告)号：CN101093855A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112138.0
申请日：2007-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66666 , H01L29/66787 , H01L29/7827
Abstract: 场效应晶体管包括衬底和远离衬底延伸的柱子。该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁。在该侧壁上设置绝缘栅。在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中设置第一源区/漏区。在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中设置第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，第二源区/漏区被重掺杂。该柱子可以是基体和顶部之间的中间部分与相邻基体和顶部相比更窄的I－形柱子，以便该侧壁包括基体和顶部之间的凹陷中间部分。
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公开(公告)号：CN1897305A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105583.X
申请日：2006-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/792 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L28/91 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 垂直沟道半导体衬底包括具有柱子的半导体衬底，该柱子具有上表面。绝缘栅电极围绕柱子的外围。绝缘栅电极在比柱子的上表面低的垂直水平面上具有上表面，以垂直地将绝缘栅电极与柱子的上表面分隔开。第一源区/漏区在与柱子相邻的衬底中。第二源区/漏区设置在柱子的上部区域中，包括柱子的上表面。接触焊盘接触柱子的整个上表面，以电连接到第二源区/漏区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101807575B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN200910265299.2
申请日：2009-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L27/10855 , H01L27/10888 , H01L27/11 , H01L27/11517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了包括接触塞的半导体器件及相关方法。半导体器件包括半导体层，该半导体层包括第一区域和第二区域；第一接触塞，该第一接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域；第二接触塞，该第二接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第二区域；导电层，该导电层电气地连接至第一接触塞，该导电层具有侧面和底面；以及绝缘层，该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便于绝缘导电层和第二接触塞，该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。
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公开(公告)号：CN101226960B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810003550.3
申请日：2008-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L23/522 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/823487 , H01L21/84 , H01L27/10823 , H01L27/10885 , H01L29/42392 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/78642
Abstract: 公开了一种存取器件、半导体器件和制备存取器件和相关半导体器件的方法。该存取器件包括隔开下部源/漏区和上部源/漏区的垂直定向沟道、设置在该沟道上的栅极电介质、和跨该栅极电介质耦合到沟道的统一的栅电极/连接线，其中该统一的栅电极/连接线包括邻近该栅极电介质设置并覆盖该下部源/漏区至少一部分的递减缘部分。
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公开(公告)号：CN101937915A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010229306.6
申请日：2010-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/10876 , H01L27/10894 , H01L28/91 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、绝缘中间层图案以及电容器。第一晶体管形成在基板的第一区。第一晶体管具有从基板向上突出的柱并且在柱的上部提供有杂质区。第二晶体管形成在基板的第二区。绝缘中间层图案形成在第一区和第二区上以覆盖第二晶体管并且暴露出柱的上表面。绝缘中间层图案的上表面实质上比第一区中的柱的上表面高。电容器形成在柱的上部中的杂质区上并且电连接到该杂质区。
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公开(公告)号：CN100492604C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510065635.0
申请日：2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/42384 , H01L29/42392 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/78603 , H01L29/78648
Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有下层和覆盖该下层的上层。布置和构造该上层，以形成彼此隔开且自该下层的上表面伸出的第一和第二有源区。桥形的第三有源区与该下层的上表面垂直地隔开且连接该第一和第二有源区。该器件还包括栅电极，该栅电极形成有围绕该第三有源区的栅绝缘层，使得该第三有源区用作沟道。
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公开(公告)号：CN101226960A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810003550.3
申请日：2008-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L23/522 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/823487 , H01L21/84 , H01L27/10823 , H01L27/10885 , H01L29/42392 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/78642
Abstract: 公开了一种存取器件、半导体器件和制备存取器件和相关半导体器件的方法。该存取器件包括隔开下部源/漏区和上部源/漏区的垂直定向沟道、设置在该沟道上的栅极电介质、和跨该栅极电介质耦合到沟道的统一的栅电极/连接线，其中该统一的栅电极/连接线包括邻近该栅极电介质设置并覆盖该下部源/漏区至少一部分的递减缘部分。
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