公开(公告)号：CN1661785A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510065635.0

申请日：2005-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠湖 ,  尹在万 ,  朴东健 ,  李哲

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有下层和覆盖该下层的上层。布置和构造该上层，以形成彼此隔开且自该下层的上表面伸出的第一和第二有源区。桥形的第三有源区与该下层的上表面垂直地隔开且连接该第一和第二有源区。该器件还包括栅电极，该栅电极形成有围绕该第三有源区的栅绝缘层，使得该第三有源区用作沟道。

公开(公告)号：CN100492604C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510065635.0

申请日：2005-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠湖 ,  尹在万 ,  朴东健 ,  李哲

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有下层和覆盖该下层的上层。布置和构造该上层，以形成彼此隔开且自该下层的上表面伸出的第一和第二有源区。桥形的第三有源区与该下层的上表面垂直地隔开且连接该第一和第二有源区。该器件还包括栅电极，该栅电极形成有围绕该第三有源区的栅绝缘层，使得该第三有源区用作沟道。