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公开(公告)号：CN107123661B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710073127.X
申请日：2017-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B63/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元在第一导电线和第二导电线之间，并且在第一导电线和第二导电线交叠的区域处。第二存储单元在第二导电线和第三导电线之间，并且在第二导电线和第三导电线交叠的区域处。每个第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案。每个第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案。第二存储单元中的至少一个从最靠近的一个第一存储单元偏移。
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公开(公告)号：CN113782670A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110304592.6
申请日：2021-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件，可以包括：沿第一方向延伸的第一导线；沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二导线；在第一导线和第二导线的交叉点处的单元堆叠；以及覆盖单元堆叠的侧表面的间隙填充绝缘图案。单元堆叠可以包括：顺序地堆叠的第一电极、第二电极和第三电极；第一电极与第二电极之间的开关图案；以及第二电极与第三电极之间的可变电阻图案。间隙填充绝缘图案的顶表面可以位于第三电极的顶表面与底表面之间。
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公开(公告)号：CN109768158A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810921238.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种存储器件包括在衬底上沿第一方向延伸的第一字线、在第一字线上沿第二方向延伸的第一位线、设置在第一字线与第一位线之间的第一存储单元、在第一位线上沿第一方向延伸的第二字线、在第二字线上沿第二方向延伸的第二位线、设置在第二字线与第二位线之间的第二存储单元、以及连接到第一位线和第二位线的第一位线连接结构。第一位线连接结构包括连接到第一位线的第一位线接触以及连接到第二位线并垂直地重叠第一位线接触的第二位线接触。
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公开(公告)号：CN107104183A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710096969.7
申请日：2017-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 本公开提供一种存储器件。该存储器件包括：第一电极线层，包括在第一方向上在基板上延伸并彼此间隔开的多个第一电极线；第二电极线层，包括在第二方向上在第一电极线层上延伸并彼此间隔开的多个第二电极线，该第二方向不同于第一方向；以及存储单元层，包括位于多个第一电极线和多个第二电极线之间的多个交叉点处的多个第一存储单元，每个第一存储单元包括顺序地堆叠的选择器件层、中间电极和可变电阻层。可变电阻层的侧表面垂直于基板的顶表面或被倾斜以朝向可变电阻层的上部逐渐更宽。第一存储单元具有侧表面斜坡从而具有朝向其上部逐渐减小的宽度。
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公开(公告)号：CN107093612A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710085743.7
申请日：2017-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1683 , H01L27/224 , H01L21/82 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：在基板上沿第一方向设置的第一导电线，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一方向和第二方向平行于基板的顶表面；在第一导电线上方沿第二方向设置的第二导电线，每条第二导电线在第一方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的存储单元，所述存储单元处于在基本上垂直于基板的顶表面的第三方向上交叠第一和第二导电线的每个区域中，并且所述存储单元包括可变电阻图案；以及在第一导电线和第二导电线之间的绝缘层结构，所述绝缘层结构覆盖存储单元并包括在第三方向上既不交叠第一导电线也不交叠第二导电线的区域的至少一部分中的空气间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768158B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201810921238.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括在衬底上沿第一方向延伸的第一字线、在第一字线上沿第二方向延伸的第一位线、设置在第一字线与第一位线之间的第一存储单元、在第一位线上沿第一方向延伸的第二字线、在第二字线上沿第二方向延伸的第二位线、设置在第二字线与第二位线之间的第二存储单元、以及连接到第一位线和第二位线的第一位线连接结构。第一位线连接结构包括连接到第一位线的第一位线接触以及连接到第二位线并垂直地重叠第一位线接触的第二位线接触。
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公开(公告)号：CN112652643B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202011548151.2
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思提供一种存储器件。在该存储器件中，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中，在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖，这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外，通过调整间隔物的厚度，存储单元的感测裕度可以增加。
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公开(公告)号：CN107104123B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710092603.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
Abstract: 本公开涉及存储器件。一种存储器件可以包括：衬底；第一导线，其在衬底上并且在第一方向上延伸；第二导线，其在第一导线上方并且在交叉第一方向的第二方向上延伸；第三导线，其在第二导线上方并且在第一方向上延伸；第一存储单元，其在第一导线和第二导线的交点处并且包括第一选择元件层和第一可变电阻层；以及第二存储单元，其在第二导线和第三导线的交点处并且包括第二选择元件层和第二可变电阻层。第一选择元件层在垂直于第一和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二选择元件层在第三方向上的第二高度。
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公开(公告)号：CN112467026A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011084987.1
申请日：2017-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了半导体器件，包括：第一电极线，在第一方向上延伸；第二电极线，设置在第一电极线之上，并在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，设置在第一电极线和第二电极线的交叉处并在第一电极线和第二电极线之间；第一绝缘层，设置在两个相邻的第一电极线之间并在第一方向上延伸；第二绝缘层，在相邻的第一存储单元之间设置在第一绝缘层和第一电极线上；以及第三绝缘层，在两个相邻的第二电极线之间设置在第二绝缘层上并在第二方向上延伸。第二绝缘层的顶表面比第二电极线的底表面高，第一电极线的下部在第二方向上比第一电极线的上部宽。
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公开(公告)号：CN110729302A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910567771.1
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种可变电阻非易失性存储器装置，其包括：半导体基底；第一导线，均在半导体基底上沿与半导体基体垂直的第一方向延伸，并在第二方向上间隔开。第二导线在第一导线的第一侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸，第三导线在第一导线的与第一侧相对的第二侧上沿第二方向延伸。第一非易失性存储器单元位于第一导线的第一侧上，并结合到第二导线和第一导线，第一非易失性存储器单元包括以第一序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极。第二非易失性存储器单元位于第一导线的第二侧上，并结合到第三导线和第一导线，第二非易失性存储器单元包括以第二序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极，第一序列和第二序列关于第一导线对称。
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