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公开(公告)号：CN107026169B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201710060821.8
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11551 , G11C16/02 , G11C16/06
Abstract: 本发明构思提供一种存储器件、包括该存储器件的电子设备以及制造该存储器件的方法，在该存储器件中，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中，在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖，这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外，通过调整间隔物的厚度，存储单元的感测裕度可以增加。
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公开(公告)号：CN111477609A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010075061.X
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/24
Abstract: 一种可变电阻存储器装置，包括：沿第一方向布置的存储器单元堆叠，所述存储器单元堆叠包括第一存储器单元堆叠和第二存储器单元堆叠。存储器单元堆叠中的每一个包括多条字线和连接到多条字线中的每一条的存储器单元，多条字线中的每一条在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向布置。存储器单元中的每一个包括开关元件和可变电阻元件。第一存储器单元堆叠的多条字线中的每一条在第一方向上具有第一厚度，第一厚度小于第二存储器单元堆叠的多条字线中的每一条在第一方向上的第二厚度。
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公开(公告)号：CN107123661A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710073127.X
申请日：2017-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L27/2463
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元在第一导电线和第二导电线之间，并且在第一导电线和第二导电线交叠的区域处。第二存储单元在第二导电线和第三导电线之间，并且在第二导电线和第三导电线交叠的区域处。每个第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案。每个第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案。第二存储单元中的至少一个从最靠近的一个第一存储单元偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048134B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201910426834.1
申请日：2019-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开一种操作电阻式存储器装置的方法。一种用于增大读取裕度的操作电阻式存储器装置的方法包括：将写入脉冲施加到存储器单元，使得存储器单元被编程到目标电阻状态；以及将写入后脉冲施加到存储器单元，以增大处于目标电阻状态的存储器单元的电阻，其中，写入后脉冲作为具有至少n个阶梯电压电平的单个脉冲被施加，n是等于或大于2的整数，并且写入后脉冲的第n阶梯电压电平被设置为低于由写入后脉冲的第(n‑1)阶梯电压电平改变的目标电阻状态的最小阈值电压电平。
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公开(公告)号：CN112652643B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202011548151.2
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思提供一种存储器件。在该存储器件中，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中，在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖，这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外，通过调整间隔物的厚度，存储单元的感测裕度可以增加。
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公开(公告)号：CN107026169A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710060821.8
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11551 , G11C16/02 , G11C16/06
Abstract: 本发明构思提供一种存储器件、包括该存储器件的电子设备以及制造该存储器件的方法，在该存储器件中，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中，在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖，这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外，通过调整间隔物的厚度，存储单元的感测裕度可以增加。
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公开(公告)号：CN107123661B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710073127.X
申请日：2017-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B63/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元在第一导电线和第二导电线之间，并且在第一导电线和第二导电线交叠的区域处。第二存储单元在第二导电线和第三导电线之间，并且在第二导电线和第三导电线交叠的区域处。每个第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案。每个第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案。第二存储单元中的至少一个从最靠近的一个第一存储单元偏移。
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公开(公告)号：CN111048134A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910426834.1
申请日：2019-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开一种操作电阻式存储器装置的方法。一种用于增大读取裕度的操作电阻式存储器装置的方法包括：将写入脉冲施加到存储器单元，使得存储器单元被编程到目标电阻状态；以及将写入后脉冲施加到存储器单元，以增大处于目标电阻状态的存储器单元的电阻，其中，写入后脉冲作为具有至少n个阶梯电压电平的单个脉冲被施加，n是等于或大于2的整数，并且写入后脉冲的第n阶梯电压电平被设置为低于由写入后脉冲的第(n-1)阶梯电压电平改变的目标电阻状态的最小阈值电压电平。
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