公开(公告)号：CN111048134B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN201910426834.1

申请日：2019-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李广宇 ,  鲁汉彬 ,  沈揆理

IPC: G11C13/00

Abstract: 公开一种操作电阻式存储器装置的方法。一种用于增大读取裕度的操作电阻式存储器装置的方法包括：将写入脉冲施加到存储器单元，使得存储器单元被编程到目标电阻状态；以及将写入后脉冲施加到存储器单元，以增大处于目标电阻状态的存储器单元的电阻，其中，写入后脉冲作为具有至少n个阶梯电压电平的单个脉冲被施加，n是等于或大于2的整数，并且写入后脉冲的第n阶梯电压电平被设置为低于由写入后脉冲的第(n‑1)阶梯电压电平改变的目标电阻状态的最小阈值电压电平。

公开(公告)号：CN111048134A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910426834.1

申请日：2019-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李广宇 ,  鲁汉彬 ,  沈揆理

IPC: G11C13/00

Abstract: 公开一种操作电阻式存储器装置的方法。一种用于增大读取裕度的操作电阻式存储器装置的方法包括：将写入脉冲施加到存储器单元，使得存储器单元被编程到目标电阻状态；以及将写入后脉冲施加到存储器单元，以增大处于目标电阻状态的存储器单元的电阻，其中，写入后脉冲作为具有至少n个阶梯电压电平的单个脉冲被施加，n是等于或大于2的整数，并且写入后脉冲的第n阶梯电压电平被设置为低于由写入后脉冲的第(n-1)阶梯电压电平改变的目标电阻状态的最小阈值电压电平。