公开(公告)号：CN119967859A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202410844298.8

申请日：2024-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  朴铉雨 ,  李善英

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；有源图案，在基底上在第一水平方向上延伸；多个纳米片，在有源图案上堆叠为在竖直方向上彼此间隔开；栅电极，在有源图案上在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，栅电极围绕所述多个纳米片；源极/漏极区域，在栅电极的至少一侧上设置在有源图案上；第一内间隔件，在所述多个纳米片之间设置在源极/漏极区域与栅电极之间，第一内间隔件与源极/漏极区域接触；以及第二内间隔件，在所述多个纳米片之间设置第一内间隔件与栅电极之间，第二内间隔件包括与第一内间隔件的材料不同的材料，第二内间隔件的上表面和下表面中的每个与第一内间隔件接触。

公开(公告)号：CN112349716B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010267941.7

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相吉 ,  赵南奎 ,  金锡勳 ,  文康薰 ,  刘贤琯 ,  李時炯

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN109494221B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201811052594.5

申请日：2018-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金成玟 ,  申东石 ,  李承勳 ,  金洞院

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其可包括第一有源鳍、第二有源鳍及栅极结构。所述第一有源鳍可在衬底上在第一方向上延伸，且可包括第一直线延伸部分、第二直线延伸部分及位于所述第一直线延伸部分与所述第二直线延伸部分之间的弯曲部分。所述第二有源鳍可在所述衬底上在所述第一方向上延伸。所述栅极结构可在所述衬底上在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。所述栅极结构可与所述第一有源鳍的所述第一直线延伸部分及所述第二直线延伸部分中的一者交叉，且可与所述第二有源鳍交叉。本公开的半导体装置具有良好的性能。

公开(公告)号：CN107437565B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201710399194.0

申请日：2017-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金镜浩 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的包括第一区域和第二区域的场绝缘膜；在场绝缘膜的第一区域中的凹槽；在场绝缘膜的第二区域上的栅电极；以及沿栅电极的侧壁和凹槽的侧壁的栅间隔物。

公开(公告)号：CN111816565A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010194754.0

申请日：2020-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  李承勳 ,  许洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底的第一区域中形成有源鳍和与有源鳍交叉的牺牲栅极结构；在基底上形成第一间隔件和第二间隔件以覆盖牺牲栅极结构；在基底的第二区域中形成掩模以暴露基底的第一区域；通过使用掩模从基底的第一区域中的第一间隔件去除第二间隔件；通过去除有源鳍的部分在牺牲栅极结构的相对侧处形成凹进；在凹进中形成源极和漏极；以及形成蚀刻停止层以覆盖牺牲栅极结构的两个侧壁以及源极和漏极的顶表面。

公开(公告)号：CN106252351A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610172033.3

申请日：2016-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金局泰 ,  朴赞真 ,  申东石 ,  林永达 ,  洪思焕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：栅极组件，设置在器件隔离层上；栅极分隔件，设置在栅极组件的侧表面上；接触组件，设置在栅极分隔件上；气隙，设置在器件隔离层和接触组件之间；第一分隔件覆盖层，设置在栅极分隔件和气隙之间。第一分隔件覆盖层相对于栅极分隔件具有蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN119584623A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202410375132.6

申请日：2024-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  刘贤琯 ,  金孝珍

IPC: H10D64/27 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括有源图案；沟道图案，包括第一半导体图案和第二半导体图案；源/漏图案，连接到第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，包括第一半导体图案与第二半导体图案之间的电极；以及绝缘层，在第一半导体图案和第二半导体图案与电极之间。绝缘层包括介电层和介电层上的间隔物，该介电层包围电极。间隔物包括：水平部分，在介电层与第二半导体图案之间；竖直部分，在介电层与源/漏图案之间；以及角部部分，将水平部分连接到竖直部分。水平部分的第一厚度小于竖直部分的第二厚度，并且第二厚度小于角部部分的第三厚度。

公开(公告)号：CN111816565B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202010194754.0

申请日：2020-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  李承勳 ,  许洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底的第一区域中形成有源鳍和与有源鳍交叉的牺牲栅极结构；在基底上形成第一间隔件和第二间隔件以覆盖牺牲栅极结构；在基底的第二区域中形成掩模以暴露基底的第一区域；通过使用掩模从基底的第一区域中的第一间隔件去除第二间隔件；通过去除有源鳍的部分在牺牲栅极结构的相对侧处形成凹进；在凹进中形成源极和漏极；以及形成蚀刻停止层以覆盖牺牲栅极结构的两个侧壁以及源极和漏极的顶表面。

公开(公告)号：CN108933165B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201810513295.0

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金孝珍 ,  河龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：鳍型图案，其形成在衬底上并包括由沟槽限定的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，其与第一侧壁和第二侧壁接触放置并填充沟槽；以及外延图案，其形成在鳍型图案上并包括第一外延层和形成在第一外延层上的第二外延层。

公开(公告)号：CN116504784A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211221577.6

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  刘贤琯 ,  李善英 ,  车知勳 ,  黄炅渊

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上并且包括半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上；以及栅极介电层，在栅电极与半导体图案之间。栅极介电层的内部间隔件包括在高k介电层与第二半导体图案之间的水平部分、在高k介电层与源极/漏极图案之间的竖直部分以及在水平部分与竖直部分之间的拐角部分。水平部分的第一厚度小于竖直部分的第二厚度。竖直部分的第二厚度小于拐角部分的第三厚度。