公开(公告)号：CN117276276A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310700153.6

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车承珉 ,  郭玟燦 ,  黄东勳 ,  刘素罗 ,  李城门

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体装置，其包括：第一有源区域和第二有源区域，在基底上并在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源区域和第二有源区域上，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，分别在第一有源区域和第二有源区域上并与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；第一接触插塞和第二接触插塞，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上并分别连接到第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；以及垂直掩埋结构，在第一栅极结构与第二栅极结构之间并在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。垂直掩埋结构包括与第一接触插塞接触的第一侧表面。

公开(公告)号：CN107393922B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201710243381.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  权兑勇 ,  朴栽永 ,  黄东勋 ,  李汉基 ,  刘素罗

IPC: H01L27/088

Abstract: 如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。

公开(公告)号：CN111048486A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910857746.7

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  宋炫升 ,  卢永昌 ,  申宪宗 ,  刘素罗 ,  郑涌植

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。

公开(公告)号：CN107393922A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710243381.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  权兑勇 ,  朴栽永 ,  黄东勋 ,  李汉基 ,  刘素罗

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/088

Abstract: 如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。