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公开(公告)号：CN117457528A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311287601.0
申请日：2023-10-07
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例提供了一种晶边处理设备及晶圆的处理方法，其中，晶边处理设备包括：基台，基台包括用于放置待处理晶圆的第一表面；喷液装置，喷液装置位于待处理晶圆的上方，且喷液装置用于向待处理晶圆的边缘区域提供处理液；吸液装置，吸液装置至少包括吸液组件，吸液组件位于喷液装置和待处理晶圆的一侧，且与待处理晶圆之间具有预设距离，吸液装置用于吸收多余的处理液。
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公开(公告)号：CN115000429B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210365231.7
申请日：2022-04-07
Abstract: 本发明公开了一种LNCAF电极材料、燃料电池及其制备方法，所述制备方法包括：将满足摩尔比为Li:Ni:Co:Al:F＝1:0.8:0.15:0.05:0.2或1:0.8:0.15:0.05:0.1的原料Co3O4、Al2O3、LiOH·H2O、Ni(OH)2、NiF2进行研磨，得到混合粉体；将混合粉体在500～600℃进行4～6小时第一次煅烧，煅烧后再次研磨为粉体；将煅烧后研磨得到的粉体在800～900℃进行4～6小时第二次煅烧，得到所述LNCAF电极材料，该电极材料在中低温下具有良好催化活性，所得燃料电池的操作温度可降低至550℃，同时该电极材料与燃料电池各组件间的化学相容性好。
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公开(公告)号：CN117210801A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311002994.6
申请日：2023-08-08
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
IPC: C23C16/52 , H01L21/02 , C23C16/505 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：提供第一晶圆；通过调节等离子体增强化学气相沉积过程中的工艺参数，在所述第一晶圆上形成具有第一固定厚度以及第一弯曲度调节能力的第一材料层，使得所述第一晶圆的第一弯曲度的绝对值小于等于第一预设值得到具有第一弯曲度的第一晶圆。
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公开(公告)号：CN116199264A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310055494.2
申请日：2023-01-17
Abstract: 本发明公开了一种非金属B掺杂β相MnO2电极材料的制备方法和应用，属于水系锌离子电池储能技术领域。本发明具体制作步骤如下：(1)室温下，按配比将水溶性锰盐和强氧化性化合物倒入烧杯中，加入去离子水搅拌均匀；(2)根据掺杂的摩尔比，称量少量的硼源加入到(1)均匀的溶液中，继续搅拌均匀；(3)将配置好的溶液倒入聚四氟乙烯内胆中，转移至不锈钢高压反应釜中进行水热反应；(4)反应完成后将生成物进行过滤、干燥、收集。本发明通过非金属B掺杂β相MnO2电极材料不仅具有高比容量而且电池循环稳定性在非金属B掺杂后得到了很大的提高，并且本发明一步到位，大大简化了实验程序，节省了人力物力，便于产业化实施和应用，市场前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110990A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211628020.4
申请日：2022-12-16
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/107 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法。该基于SOI结构的雪崩光电二极管器件包括：SOI衬底，其包括背衬底、埋氧化层和顶层硅；在顶层硅中形成有P‑区，在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在顶层硅的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖除源极和漏极外的顶层硅表面。通过在N+区附近增加了浅p阱区，消除了由曲率效应引起的边缘击穿现象，同时保证了侧向PN+结发生雪崩倍增，实现了吸收区和倍增区分离。
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公开(公告)号：CN116072607A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310210873.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L21/768 , H01L25/065
Abstract: 本公开实施例提供一种封装结构及其形成方法、电子设备。所述形成方法，包括：提供第一晶圆，具有相对的第一面和第二面；在所述第一晶圆中形成第一导电盲孔结构，从所述第一面显露；在所述第一面键合包括第二晶圆在内的至少一个晶圆，所述第二晶圆具有朝向所述第一面的第三面和与所述第三面相对的第四面、且包括第二导电盲孔结构；对所述第一晶圆的第二面、所述第二晶圆的第四面分别进行刻蚀，以形成第一导电通孔结构、和第二导电通孔结构；所述第一导电通孔结构与所述第二导电通孔结构构成贯穿所述第一晶圆和所述第二晶圆的母通孔结构；在所述第一晶圆的第二面、所述第二晶圆的第四面分别形成导电走线层，用于电连接所述母通孔结构。
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公开(公告)号：CN115867119A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211484488.0
申请日：2022-11-24
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种神经突触仿生器件及其仿生控制方法，属于微电子器件技术领域，包括由下至上依次分布的下电极、阻变层、阻挡层和上电极；其中，阻变层为具有能级缺陷的阻变层，能够自发的捕获和释放载流子，且无需预先进行forming操作产生软击穿即可具有稳定的阻变特性，并不会对器件内部结构产生严重破坏，能够更加精确的模拟神经突触的功能。同时还可抑制神经信号之间的干扰，减小忆阻阵列中神经网络训练和推理运算过程中忆阻器件非理想因素的影响。
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公开(公告)号：CN115621259A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211236273.7
申请日：2022-10-10
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种利用硬电极在低温退火条件下提高铁电器件性能方法，该方法针对的铁电器件自上而下包括上电极、铁电材料功能层、下电极和衬底，其中上电极所采用电极材料的硬度大于下电极所采用的电极材料的硬度；通过将该铁电器件在目标退火温度满足大于350℃且小于500℃的低温条件下进行低温退火，能够提高器件的铁电性能。本发明通过对铁电器件的电极材料进行改进，通过采用硬度较大的电极材料构建上电极、使上电极的硬度大于下电极，能够实现在较低的退火温度下提升铁电器件的铁电性能。
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公开(公告)号：CN115411181A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210965999.8
申请日：2022-08-12
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于锂镍氧化物材料的选通管及其制作方法，该选通管包括底层电极；中间层材料，位于所属底电极一侧表面；顶层电极，位于所述选通管材料层远离所述底层电极一侧表面。其中，所述底层电极的材料为泡沫镍(Ni form)、泡沫铜、金属镍片、金属铜片、金属镍薄膜和金属铜薄膜的一种；所述中间层材料为锂镍氧化物LixNiO2‑δ(0＜x≤1)；所述顶层电极为金属铂、金属金的一种。本发明的一种基于锂镍氧化物材料的选通管，具有Forming‑free的特性，不需要Forming过程就可以直接表现出双向阈值转变的性能，且有稳定的阈值电压和保持电压，将其作为整流器件,可有效抑制RRAM存储器阵列中的串扰电流。本发明选通管具有结构简单、工艺简单、价格低廉等的特点。
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